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1. WO2019042255 - TRANSISTOR TRIBOLOGIQUE, FORCE L'UTILISANT, ET CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE

Numéro de publication WO/2019/042255
Date de publication 07.03.2019
N° de la demande internationale PCT/CN2018/102526
Date du dépôt international 27.08.2018
CIB
H01L 29/808 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
80l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
808à jonction PN
CPC
G01D 5/14
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
5Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
12using electric or magnetic means
14influencing the magnitude of a current or voltage
G01L 1/20
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
20by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids
G01R 33/06
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
G01R 33/066
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
066field-effect magnetic sensors, e.g. magnetic transistor
H01L 29/808
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
80with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate ; , i.e. potential-jump barrier
808with a PN junction gate ; , e.g. PN homojunction gate
H01L 51/05
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
Déposants
  • 北京纳米能源与系统研究所 BEIJING INSTITUTE OF NANOENERGY AND NANOSYSTEMS [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 张弛 ZHANG, Chi
  • 王中林 WANG, Zhonglin
  • 赵俊青 ZHAO, Junqing
  • 逄尧堃 PANG, Yaokun
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
201710753172.X28.08.2017CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) TRIBOTRONICS TRANSISTOR, FORCE USING SAME, AND MAGNETIC FIELD SENSOR
(FR) TRANSISTOR TRIBOLOGIQUE, FORCE L'UTILISANT, ET CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE
(ZH) 摩擦电子学晶体管及应用其的力、磁场传感器
Abrégé
(EN)
A tribotronics transistor comprises a field-effect transistor. The field-effect transistor comprises: a substrate layer (1); a channel layer (2), disposed on the upper surface of the substrate layer (1); electrodes (3, 4), located on the upper surface of channel layer (2), and comprising a source (4) and a drain (3) that are separately disposed, the source (4) and the drain (3) partially extending out of the edge of the channel layer (2); an insulation friction layer (5), located in part regions of the upper surfaces of the electrodes (3, 4) and the upper surface of the uncovered channel layer (2); and a movable friction layer (6), located above the insulation friction layer (5). A contact/separation state between the movable friction layer (6) and the insulation friction layer (5) is changed by means of movement. By changing the contact/separation state between the insulation friction layer (5) and the movable friction layer (6), an electrostatic potential is generated due to triboelectrification, so as to adjust the transport of carriers in the channel layer (2) and further adjust the value of a current between the drain (3) and the source (4), thereby effectively replacing a power supply voltage of a gate electrode in the conventional transistor. The present invention also comprises a force using the tribotronics transistor and a magnetic field sensor.
(FR)
L'invention concerne un transistor tribologique comprenant un transistor à effet de champ. Le transistor à effet de champ comprend : une couche de substrat (1) ; une couche de canal (2) disposée sur la surface supérieure de la couche de substrat (1) ; des électrodes (3, 4), situées sur la surface supérieure de la couche de canal (2), et comprenant une source (4) et un drain (3) qui sont disposés séparément, la source (4) et le drain (3) s'étendant partiellement hors du bord de la couche de canal (2) ; une couche de friction d'isolation (5), située dans des régions partielles des surfaces supérieures des électrodes (3, 4) et la surface supérieure de la couche de canal non recouverte (2) ; et une couche de friction mobile (6), située au-dessus de la couche de friction d'isolation (5). Un état de contact/séparation entre la couche de friction mobile (6) et la couche de friction d'isolation (5) est changé au moyen d'un mouvement. En modifiant l'état de contact/séparation entre la couche de friction d'isolation (5) et la couche de friction mobile (6), un potentiel électrostatique est généré en raison de la triboélectrification, de façon à ajuster le transport de porteurs dans la couche de canal (2) et régler en outre la valeur d'un courant entre le drain (3) et la source (4), ce qui permet de remplacer efficacement une tension d'alimentation électrique d'une électrode de grille dans le transistor classique. La présente invention comprend également une force utilisant le transistor tribologique et un capteur de champ magnétique.
(ZH)
一种摩擦电子学晶体管,包括:场效应晶体管,包括:基底层(1);沟道层(2),位于基底层(1)上表面;电极(3,4),位于沟道层(2)上表面,包括独立分布的源极(4)和漏极(3),源极(4)和漏极(3)的部分延伸出沟道层(2)的边缘;绝缘摩擦层(5),位于电极(3,4)上表面的部分区域及未被覆盖的沟道层(2)上表面;以及移动摩擦层(6),位于绝缘摩擦层(5)上方,通过移动改变与绝缘摩擦层(5)的接触/分离状态。通过绝缘摩擦层(5)与移动摩擦层(6)之间的接触/分离状态的改变,摩擦起电产生静电势,以调控沟道层(2)中载流子的输运,进而可调控漏、源电极(3,4)之间电流的大小,从而有效替代传统晶体管中门电极的供电电压。还包括应用其的力、磁场传感器。
Également publié en tant que
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