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1. (WO2019041742) SUBSTRAT DE MATRICE, APPAREIL D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT DE MATRICE
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N° de publication : WO/2019/041742 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/074123
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 25.01.2018
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants :
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015, CN
Inventeurs :
SONG, Zhen; CN
WANG, Guoying; CN
Mandataire :
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue Dongcheng District, Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201710778807.131.08.2017CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE, APPAREIL D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT DE MATRICE
Abrégé :
(EN) The present application discloses an array substrate having a plurality of subpixel areas. The array substrate includes a base substrate; a plurality of first thin film transistors on the base substrate, each of which being in one of the plurality of subpixel areas; and a plurality of capacitor electrodes, each of which being in one of the plurality of subpixel areas. Each of the plurality of first thin film transistors includes a first active layer, a first gate electrode, a first source electrode, and a first drain electrode. The first active layer includes a first semi-conductive channel part, a first conductive part electrically connected to the first drain electrode, and a second conductive part electrically connected to the first source electrode. Each of the plurality of capacitor electrodes, the insulating layer, and the first conductive part constitute a first storage capacitor in one of the plurality of subpixel areas.
(FR) La présente invention concerne un substrat de matrice comportant une pluralité de zones de sous-pixels. Le substrat de matrice comprend un substrat de base; une pluralité de premiers transistors à film mince sur le substrat de base, chacun d'eux étant dans l'une des zones de la pluralité de zones de sous-pixels; et une pluralité d'électrodes de condensateur, chacune d'elles se trouvant dans l'une des zones de la pluralité de zones de sous-pixels. Chaque transistor de la pluralité de premiers transistors à film mince comprend une première couche active, une première électrode de grille, une première électrode de source et une première électrode de drain. La première couche active comprend une première partie canal semi-conduceur, une première partie conductrice connectée électriquement à la première électrode de drain, et une seconde partie conductrice connectée électriquement à la première électrode de source. Chaque électrode de la pluralité d'électrodes de condensateur, la couche isolante et la première partie conductrice constituent un premier condensateur de stockage dans l'une des zones de la pluralité de zones de sous-pixels.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)