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1. (WO2019032253) GELS LIQUIDES IONIQUES NANOMÉTRIQUES DÉPOSÉS EN PHASE VAPEUR EN TANT QU'ISOLANTS DE GRILLE POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES HAUTE VITESSE BASSE TENSION
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N° de publication : WO/2019/032253 N° de la demande internationale : PCT/US2018/042659
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 18.07.2018
CIB :
H01G 11/04 (2013.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
11
Condensateurs hybrides, c. à d. ayant des électrodes positive et négative différentes; Condensateurs électriques à double couche [EDL]; Procédés de fabrication desdits condensateurs ou de leurs composants
04
Condensateurs hybrides
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Déposants :
MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139, US
Inventeurs :
LIU, Andong; US
GLEASON, Karen, K.; US
WANG, Minghui; US
Mandataire :
GORDON, Dana, M.; US
ABELLEIRA, Susan, M.; US
AKHIEZER, Alexander; US
BROW, William, E.; US
BLOUNT, Jennifer, V.; US
Données relatives à la priorité :
62/533,89918.07.2017US
Titre (EN) VAPOR-DEPOSITED NANOSCALE IONIC LIQUID GELS AS GATE INSULATORS FOR LOW-VOLTAGE HIGH-SPEED THIN FILM TRANSISTORS
(FR) GELS LIQUIDES IONIQUES NANOMÉTRIQUES DÉPOSÉS EN PHASE VAPEUR EN TANT QU'ISOLANTS DE GRILLE POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES HAUTE VITESSE BASSE TENSION
Abrégé :
(EN) Described are materials and methods for fabricating low-voltage MHz ion-gel-gated thin film transistor devices using patternable defect-free ionic liquid gels. Ionic liquid gels made by the initiated chemical vapor deposition methods described herein exhibit a capacitance of about 1 μF cm-2 at about 1 MHz, and can be as thin as about 20 nm to about 400 nm.
(FR) Cette invention concerne des matériaux et des procédés de fabrication de dispositifs à transistors en couches minces à grille au gel ionique à basse tension utilisant des gels liquides ioniques structurables exempts de défauts. Les gels liquides ioniques fabriqués par les procédés de dépôt chimique en phase vapeur initiés décrits ici présentent une capacité d'environ 1 μΤ cm-2 à environ 1 MHz, et peuvent être aussi minces qu'environ 20 nm à environ 400 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)