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1. (WO2019031183) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2019/031183 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/027076
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 19.07.2018
CIB :
H01L 33/48 (2010.01) ,B23K 26/57 (2014.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
[IPC code unknown for B23K 26/57]
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
08
ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22
Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
大沼 宏彰 ONUMA, Hiroaki; --
小野 高志 ONO, Takashi; --
東坂 浩由 HIGASHISAKA, Hiroyoshi; --
小野 剛史 ONO, Tsuyoshi; --
栗栖 崇 KURISU, Takashi; --
幡 俊雄 HATA, Toshio; --
Mandataire :
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité :
2017-15590410.08.2017JP
2017-20560024.10.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体モジュール、表示装置、及び半導体モジュールの製造方法
Abrégé :
(EN) This semiconductor module (1) comprises: a base substrate (11) which is provided with a drive circuit (11a); and a plurality of light emitting elements (15) which are electrically connected to the drive circuit (11a). The distance between light emitting elements (15) adjacent to each other is 20 μm or less in a top view.
(FR) La présente invention concerne un module à semi-conducteurs (1), comprenant : un substrat de base (11) pourvu d'un circuit d'attaque (11a); et une pluralité d'éléments électroluminescents (15) qui sont électriquement connectés au circuit d'attaque (11a). La distance entre les éléments électroluminescents (15) adjacents les uns aux autres est inférieure ou égale à 20 µm en vue de dessus.
(JA) 半導体モジュール(1)は、駆動回路(11a)が形成された下地基板(11)と、駆動回路(11a)と電気的に接続された、複数の発光素子(15)とを備え、互いに隣接する発光素子(15)間の距離は、上面視において、20μm以下である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)