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1. (WO2019030009) DIODE À AVALANCHE À PHOTON UNIQUE ET RÉSEAU DE DIODES À AVALANCHE À PHOTON UNIQUE
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N° de publication : WO/2019/030009 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/070328
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 26.07.2018
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/107 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0216
Revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0232
Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107
la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
Déposants :
AMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 8141 Premstätten, AT
Inventeurs :
RÖHRER, Georg; AT
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
17185766.710.08.2017EP
Titre (EN) SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE AND ARRAY OF SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODES
(FR) DIODE À AVALANCHE À PHOTON UNIQUE ET RÉSEAU DE DIODES À AVALANCHE À PHOTON UNIQUE
Abrégé :
(EN) A single photon avalanche diode, SPAD, comprises an active area (10) which is arranged to generate a photon triggered avalanche current. A cover (12) is arranged on or above the active area (10). The cover (12) shields the active area (10) from incident photons. The cover (12) comprises a stack of at least the first and a second metal layer (13, 14). At least one of the metal layers (13, 14), e.g. the first metal layer (13), comprises an aperture (15). The metal layers (13, 14) are arranged in the stack with respect to an optical axis (OA) such as to open an effective aperture (18) along the optical axis (OA). By way of the effective aperture (18) a portion (19) of the active area (10) is exposed to incident photons being incident along the optical axis (OA). The effective aperture (18) is smaller than the aperture (15) arranged in the first metal layer (13).
(FR) La présente invention concerne une diode à avalanche à photon unique, SPAD, qui comprend une zone active (10) qui est agencée de sorte à générer un courant d'avalanche déclenché par photons. Un couvercle (12) est disposé sur ou au-dessus de la surface active (10). Le couvercle (12) protège la zone active (10) des photons incidents. Le couvercle (12) comprend un empilement d'au moins une première et une seconde couche métallique (13, 14). Au moins une des couches métalliques (13, 14), par exemple la première couche métallique (13), comprend une ouverture (15). Les couches métalliques (13, 14) sont disposées dans l'empilement par rapport à un axe optique (OA) de manière à ouvrir une ouverture effective (18) le long de l'axe optique (OA). À l'aide de l'ouverture effective (18), une partie (19) de la zone active (10) est exposée à des photons incidents qui sont incidents le long de l'axe optique (OA). L'ouverture effective (18) est plus petite que l'ouverture (15) disposée dans la première couche métallique (13).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)