Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019026943) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/026943 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028800
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 01.08.2018
CIB :
G02F 1/025 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015
basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
025
dans une structure de guide d'ondes optique
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
福永 圭吾 FUKUNAGA, Keigo; JP
堀口 裕一郎 HORIGUCHI, Yuichiro; JP
前田 和弘 MAEDA, Kazuhiro; JP
津波 大介 TSUNAMI, Daisuke; JP
Mandataire :
山尾 憲人 YAMAO, Norihito; JP
中野 晴夫 NAKANO, Haruo; JP
Données relatives à la priorité :
2017-14932501.08.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 光半導体素子の製造方法および光半導体素子
Abrégé :
(EN) The present invention includes a step for depositing an active layer, a cladding layer, and a contact layer on a semiconductor substrate, a step for etching the layers to form a mesa structure, a step for forming an insulation film to cover the mesa structure, a step for reducing the thickness of the insulation film until the top surface of the contact layer is exposed and using the remaining insulation film as a side wall, a step for forming a dielectric resin layer and burying the mesa structure and the side wall, a step for selectively etching the dielectric resin layer to form an opening and causing the top surface of the contact layer to be exposed, and a step for forming an electrode in the opening.
(FR) La présente invention comprend une étape de dépôt d’une couche active, d’une couche de gaine et d’une couche de contact sur un substrat semi-conducteur, une étape de gravure des couches pour former une structure mesa, une étape de formation d’un film isolant pour recouvrir la structure mesa, une étape de réduction de l’épaisseur du film isolant jusqu’à ce que la surface supérieure de la couche de contact soit exposée et d’utilisation du film isolant restant en tant que paroi latérale, une étape de formation d’une couche de résine diélectrique et d’enfouissement de la structure mesa et de la paroi latérale, une étape de gravure sélective de la couche de résine diélectrique pour former une ouverture et amenant la surface supérieure de la couche de contact à être exposée, et une étape de formation d’une électrode dans l’ouverture.
(JA) 半導体基板の上に、活性層、クラッド層、コンタクト層を堆積する工程と、これらの層をエッチングしてメサ構造を形成する工程と、絶縁膜を形成してメサ構造を覆う工程と、コンタクト層の上面が露出するまで絶縁膜の膜厚を減じ、残った絶縁膜をサイドウォールとする工程と、誘電体樹脂層を形成してメサ構造とサイドウォールを埋め込む工程と、誘電体樹脂層を選択的にエッチングして開口部を形成してコンタクト層の上面を露出させる工程と、開口部内に電極を形成する工程とを含む。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)