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1. (WO2019026474) EMBASE, DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À DISQUE DUR ASSISTÉ THERMIQUEMENT
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N° de publication : WO/2019/026474 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024074
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 26.06.2018
CIB :
G11B 5/31 (2006.01) ,G11B 5/02 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127
Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
31
utilisant des films minces
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
02
Procédés d'enregistrement, de reproduction ou d'effacement; Circuits correspondants pour la lecture, l'écriture ou l'effacement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301
pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
Déposants :
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs :
井島 新一 IJIMA Shinichi; --
長野 一將 NAGANO Kazumasa; --
池戸 教夫 IKEDO Norio; --
Mandataire :
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15153304.08.2017JP
Titre (EN) SUBMOUNT, SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, AND THERMALLY ASSISTED HARD DISK DEVICE
(FR) EMBASE, DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À DISQUE DUR ASSISTÉ THERMIQUEMENT
(JA) サブマウント、半導体レーザ装置及び熱アシストハードディスク装置
Abrégé :
(EN) A submount (100) comprises a substrate (110), the substrate (110) having: a first surface (101); a second surface (102) that is substantially perpendicular to the first surface (101); a third surface (103) that is substantially perpendicular to the first surface (101) and the second surface (102); a fourth surface (104) that is substantially perpendicular to the first surface (101) and the second surface (102), and faces the third surface (103); a fifth surface (105) that is substantially perpendicular to the second surface (102), the third surface (103), and the fourth surface (104), and faces the first surface (101); a sixth surface (106) that faces the second surface (102); a first notch part (113a) that is formed in a portion at which the second surface (102) and the third surface (103) are adjacent; and a second notch part (113b) that is formed in a portion at which the second surface (102) and the fourth surface (104) are adjacent, the first notch part (113a) and the second notch part (113b) each having a recessed surface that includes a curved surface.
(FR) L'invention concerne une embase (100) comprenant un substrat (110), le substrat (110) comportant : une première surface (101) ; une seconde surface (102) qui est sensiblement perpendiculaire à la première surface (101) ; une troisième surface (103) qui est sensiblement perpendiculaire à la première surface (101) et à la seconde surface (102 ) ; une quatrième surface (104) qui est sensiblement perpendiculaire à la première surface (101) et à la seconde surface (102), et fait face à la troisième surface (103) ; une cinquième surface (105) qui est sensiblement perpendiculaire à la seconde surface (102), la troisième surface (103), et la quatrième surface (104), et fait face à la première surface (101) ; une sixième surface (106) qui fait face à la seconde surface (102) ; une première partie d'encoche (113a) qui est formée dans une partie au niveau de laquelle la seconde surface (102) et la troisième surface (103) sont adjacentes ; et une seconde partie d'encoche (113b) qui est formée dans une partie au niveau de laquelle la seconde surface (102) et la quatrième surface (104) sont adjacentes, la première partie d'encoche (113a) et la seconde partie d'encoche (113b) comportant chacune une surface en retrait qui comprend une surface incurvée.
(JA) サブマウント(100)は、基板(110)を備え、基板(110)は、第1の面(101)と、第1の面(101)と略垂直な第2の面(102)と、第1の面(101)及び第2の面(102)と略垂直な第3の面(103)と、第1の面(101)及び第2の面(102)と略垂直であり、かつ、第3の面(103)と対向する第4の面(104)と、第2の面(102)、第3の面(103)及び第4の面(104)と略垂直であり、かつ、第1の面(101)と対向する第5の面(105)と、第2の面(102)と対向する第6の面(106)と、第2の面(102)と第3の面(103)とが隣接する部分に形成された第1の切り欠け部(113a)と、第2の面(102)と第4の面(104)とが隣接する部分に形成された第2の切り欠け部(113b)とを有し、第1の切り欠け部(113a)及び第2の切り欠け部(113b)は、各々、曲面を含む凹面を有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)