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1. (WO2019025197) PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/025197 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/069584
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 19.07.2018
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,C30B 15/02 (2006.01) ,C30B 15/04 (2006.01) ,C30B 15/20 (2006.01) ,H01L 21/322 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
02
en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
02
en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
04
avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction np
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
20
Commande ou régulation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
322
pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
02
Traitement thermique
Déposants :
SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Inventeurs :
SATTLER, Andreas; DE
VOLLKOPF, Alexander; DE
MANGELBERGER, Karl; AT
Mandataire :
STAUDACHER, Wolfgang; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 213 587.504.08.2017DE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER MADE OF MONOCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER HALBLEITERSCHEIBE
Abrégé :
(EN) The invention relates to an epitaxially coated semiconductor wafer made of monocrystalline silicon and to a method for producing a p/p+ epitaxially coated semiconductor wafer. The epitaxially coated semiconductor wafer made of monocrystalline silicon comprises: a p+-doped substrate layer; a p-doped epitaxial layer made of monocrystalline silicon, which covers a top side surface of the substrate layer; an oxygen concentration of the substrate layer of no less than 5.3 x 1017 atoms/cm3 and no more than 6.0 x 1017 atoms/cm3; a resistivity of the substrate layer of no less than 5 mΩcm and no more than 10 mΩcm; and the potential of the substrate layer, following heat treatment of the epitaxially coated semiconductor wafer, to form BMDs, the BMD density having certain properties.
(FR) L’invention concerne une plaquette de semi-conducteur, revêtue par épitaxie, en silicium monocristallin et un procédé de fabrication d’une plaquette de semi-conducteur revêtue par épitaxie p/p+. La plaquette de semi-conducteur, revêtue par épitaxie, en silicium monocristallin comprend une plaquette de substrat dopée p ; une couche épitaxiale dopée p en silicium monocristallin qui recouvre une surface latérale supérieure de la plaquette de substrat ; et a une concentration en oxygène de la plaquette de substrat d’au moins 5,3 x 10 17 atomes/cm3 et d’au plus 6,0 x 10 17 atomes/cm3; une résistivité de la plaquette de substrat d’au moins 5 mΩcm et d’au plus 10 mΩcm ; et le potentiel de la plaquette de substrat à former des BMD à la suite d’un traitement thermique de la plaquette de semi-conducteur revêtue par épitaxie, la densité de BMD ayant des propriétés déterminées.
(DE) Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zur Herstellung einer p/p+ epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe. Die epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium umfasst eine p+-dotierte Substratscheibe; eine p-dotierte epitaktische Schicht aus einkristallinem Silizium, die eine obere Seitenfläche der Substratscheibe bedeckt; eine Sauerstoff-Konzentration der Substratscheibe von nicht weniger als 5,3 x 1017 Atome/cm3 und nicht mehr als 6,0 x 1017 Atome/cm3; eine Resistivität der Substratscheibe von nicht weniger als 5 mΩcm und nicht mehr als 10 mΩcm; und das Potenzial der Substratscheibe in Folge einer Wärmebehandlung der epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe BMDs auszubilden, wobei die Dichte an BMDs bestimmte Eigenschaften aufweist.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)