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1. (WO2019003483) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
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N° de publication : WO/2019/003483 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/003165
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 31.01.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs :
松井 都 MATSUI Miyako; JP
臼井 建人 USUI Tatehito; JP
伊澤 勝 IZAWA Masaru; JP
桑原 謙一 KUWAHARA Kenichi; JP
Mandataire :
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置
Abrégé :
(EN) According to the present invention, a desired shape is etched by means of highly-precise control and long-term stabilization of the thickness of a film that is deposited on a pattern during cyclical etching that proceeds by the repetition of a deposition step and an etching step. The present invention comprises: a deposition step (S1) for introducing a reactive, depositing gas into a treatment chamber to form a deposit layer on the surface of an etching pattern of an etching substrate; an etching step (S2) for removing the product of a reaction between the deposit layer and the surface of the etching pattern; and a step (S3) for shining light onto the etching pattern during the deposition steps that form the deposit layer during cyclical etching in which the deposition step and the etching step are alternatingly executed to produce a fine pattern and monitoring the change in the film thickness of the deposit layer on the basis of the change in interference light of a specific wavelength that has been reflected by the etching pattern. Treatment conditions for the steps that will form the deposit layer during subsequent cycles of the cyclical etching are determined such that a deposited film thickness index that is calculated from the monitored change in the film thickness of the deposit layer falls within a prescribed range in comparison with reference data.
(FR) Dans la présente invention, une forme souhaitée est gravée au moyen d'une commande très précise et d'une stabilisation à long terme de l'épaisseur d'un film déposé sur un motif pendant une gravure cyclique qui se poursuit par la répétition d'une étape de dépôt et d'une étape de gravure. La présente invention comprend : une étape de dépôt (S1) consistant à introduire un gaz de dépôt réactif dans une chambre de traitement de manière à former une couche de dépôt sur la surface d'un motif de gravure d'un substrat de gravure; une étape de gravure (S2) consistant à éliminer le produit d'une réaction entre la couche de dépôt et la surface du motif de gravure; et une étape (S3) consistant à projeter de la lumière sur le motif de gravure pendant les étapes de dépôt qui forment la couche de dépôt pendant la gravure cyclique où l'étape de dépôt et l'étape de gravure sont exécutées en alternance de manière à produire un motif fin et à surveiller le changement d'épaisseur de film de la couche de dépôt sur la base de l'interférence de lumière d'une longueur d'onde spécifique qui a été réfléchie par le motif de gravure. Des conditions de traitement en ce qui concerne les étapes de formation de la couche de dépôt pendant des cycles ultérieurs de la gravure cyclique sont déterminées de telle sorte qu'un indice d'épaisseur de film déposé calculé à partir du changement surveillé dans l'épaisseur de film de la couche de dépôt se situe dans une plage prescrite par rapport à des données de référence.
(JA) デポ工程とエッチング工程を繰り返すサイクルエッチングにおいて、パターン上のデポ膜厚を高精度に制御して長期間安定して所望の形状にエッチングする。堆積性を有する反応性ガスを処理室に導入し、被エッチング基板の被エッチングパターンの表面に堆積層を形成するデポ工程(S1)と、堆積層と被エッチングパターン表面との反応生成物を除去するエッチング工程(S2)と、二つの工程を交互に実施して微細パターンを加工するサイクルエッチングの、堆積層を形成するデポ工程の際、光を被エッチングパターンに照射し、被エッチングパターンによって反射された特定波長の干渉光の変化によって、堆積層の膜厚の変化量をモニタする工程(S3)とを備え、モニタした堆積層の膜厚の変化量から算出したデポ膜厚の指標が、参照データと比較して所定の範囲内に入るよう、サイクルエッチングの次サイクル以降の堆積層を形成する工程の処理条件を決定する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)