Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018221067) PROCÉDÉ DE DÉTOXICATION PAR DÉCOMPRESSION DE GAZ D'ÉCHAPPEMENT ET DISPOSITIF ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/221067 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/016293
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 20.04.2018
CIB :
B01D 53/74 (2006.01) ,B01D 53/46 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H05H 1/30 (2006.01) ,H05H 1/32 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
53
Séparation de gaz ou de vapeurs; Récupération de vapeurs de solvants volatils dans les gaz; Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols
34
Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires
74
Procédés généraux pour l'épuration des gaz résiduaires; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à ces procédés
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
53
Séparation de gaz ou de vapeurs; Récupération de vapeurs de solvants volatils dans les gaz; Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols
34
Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires
46
Elimination des composants de structure définie
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
26
Torches à plasma
30
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
26
Torches à plasma
32
utilisant un arc
Déposants :
カンケンテクノ株式会社 KANKEN TECHNO CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市神足太田30-2 30-2, Kotari Ota, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6170833, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
北京康肯▲環▼保▲設▼▲備▼有限公司 BEIJING KANKEN ENVIRONMENTAL PROTECTION EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 北京市朝陽区東四環中路41号 嘉泰国際大厦A-630 Rm No. A-630, Jia Tai International Bldg., No. 41 East Fourth Ring Middle Road, Chaoyang District, Beijing, 100052, CN (CN)
Inventeurs :
柳澤 道彦 YANAGISAWA Michihiko; JP
塚田 勉 TSUKADA Tsutomu; JP
今村 啓志 IMAMURA Hiroshi; JP
Mandataire :
森 義明 MORI Yoshiaki; JP
市川 真樹 ICHIKAWA Masaki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-10571229.05.2017JP
Titre (EN) EXHAUST GAS DECOMPRESSION DETOXIFICATION METHOD AND DEVICE THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTOXICATION PAR DÉCOMPRESSION DE GAZ D'ÉCHAPPEMENT ET DISPOSITIF ASSOCIÉ
(JA) 排ガスの減圧除害方法及びその装置
Abrégé :
(EN) The present invention provides an exhaust gas detoxification method and a device therefor that can minimize the use of a nitrogen gas for dilution and have superior energy usage efficiency. Namely, the present invention is an exhaust gas decompression detoxification method and a device therefor that are characterized in that an exhaust gas that is supplied by a production source via a vacuum pump is kept in a decompressed state and is subjected to decomposition processing with the heat of a high-temperature plasma.
(FR) La présente invention concerne un procédé de détoxication d'un gaz d'échappement et un dispositif associé, pouvant réduire au minimum l'utilisation d'azote gazeux pour la dilution et présentant une efficacité supérieure d'utilisation d'énergie. Plus précisément, la présente invention concerne un procédé de détoxication par décompression d'un gaz d'échappement et un dispositif associé, caractérisés en ce qu'un gaz d'échappement, alimenté par une source de production par l'intermédiaire d'une pompe à vide, est maintenu dans un état décompressé et soumis à un traitement de décomposition à l'aide de la chaleur d'un plasma à haute température.
(JA) 本発明は、希釈用の窒素ガスの使用を極小化でき、エネルギーの利用効率に優れた排ガスの除害方法とその装置とを提供する。すなわち、本発明は、真空ポンプを介して発生源より供給される排ガスを、減圧状態に保ち高温プラズマの熱で分解処理することを特徴とする排ガスの減圧除害方法及びその装置である。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)