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1. (WO2018219199) DISPOSITIF D’AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2018/219199 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/088179
Date de publication : 06.12.2018 Date de dépôt international : 24.05.2018
CIB :
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
Déposants :
南方科技大学 SOUTHERN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区西丽学苑大道1088号 No. 1088, Xueyuan Blvd., Xili, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518055, CN
Inventeurs :
孙小卫 SUN, Xiaowei; CN
王恺 WANG, Kai; CN
刘召军 LIU, Zhaojun; CN
王立铎 WANG, Liduo; CN
郝俊杰 HAO, Junjie; CN
刘皓宸 LIU, Haochen; CN
Mandataire :
北京品源专利代理有限公司 BEYOND ATTORNEYS AT LAW; 中国北京市 海淀区莲花池东路39号西金大厦6层 F6, Xijin Centre 39 Lianhuachi East Rd., Haidian District Beijing 100036, CN
Données relatives à la priorité :
201710389639.727.05.2017CN
Titre (EN) DISPLAY DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D’AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 显示器件及其制备方法
Abrégé :
(EN) A display device and a preparation method therefor. The method comprises: preparing a plurality of micro-scale light emitting diode (micro LED) chips on a substrate, and also comprising: preparing a transfer template, the transfer template having protrusions or recesses corresponding on a one-to-one basis with some of the plurality of micro LED chips or all of the micro LED chips; coating the protrusions or the recesses with quantum dot material; aligning and touching the protrusions covered in quantum dot material to some or all of the micro LED chips in order to transfer the quantum dot material to the upper surface of the some or all of the micro LED chips, or aligning and touching the recesses covered in quantum dot material to some or all of the micro LED chips in order to transfer the quantum dot material to the upper surface of the some or all of the micro LED chips.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'affichage et son procédé de préparation. Le procédé consiste à : préparer une pluralité de puces de diode électroluminescente à micro-échelle (micro-LED) sur un substrat, et consiste également à : préparer un gabarit de transfert, le gabarit de transfert ayant des saillies ou des évidements correspondant, sur une base biunivoque, avec une partie de la pluralité de puces micro-DEL ou avec l'ensemble des puces micro-DEL ; revêtir les saillies ou les évidements avec un matériau de points quantiques ; aligner et mettre en contact les saillies recouvertes d'un matériau de points quantiques sur une partie ou sur l'ensemble des puces micro-DEL afin de transférer le matériau de points quantiques à la surface supérieure de la partie ou de l'ensemble des puces micro-DEL, ou aligner et mettre en contact les évidements recouverts d'un matériau de points quantiques sur une partie ou sur l'ensemble des puces micro-DEL afin de transférer le matériau de points quantiques à la surface supérieure de la partie ou de l'ensemble des puces micro-DEL.
(ZH) 一种显示器件及其制备方法。所述方法包括:在基板上制备多个微型发光二极管Micro LED芯片,还包括:制备转印模板,所述转印模板具有与所述多个Micro LED芯片中的部分或全部Micro LED芯片一一对应的凸起或凹陷;在所述凸起或所述凹陷上涂覆量子点材料;将涂覆所述量子点材料的所述凸起与所述部分或全部Micro LED芯片对准接触,将所述量子点材料转移至所述部分或全部Micro LED芯片的上表面,或者将涂覆所述量子点材料的所述凹陷与所述部分或全部Micro LED芯片对准接触,将所述量子点材料转移至所述部分或全部Micro LED芯片的上表面。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)