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1. (WO2018201758) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2018/201758    International Application No.:    PCT/CN2018/073806
Publication Date: Fri Nov 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Jan 24 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/786
H01L 21/336
H01L 29/10
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: WANG, Guoying
王国英
SONG, Zhen
宋振
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
Abstract:
L'invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, et un dispositif d'affichage, appartenant au domaine des semi-conducteurs. Le transistor à couches minces comprend une première couche active (21), une électrode de source (31), une électrode de drain (32), une électrode de grille (33) et une seconde couche active (22) ; l'électrode de source (31), l'électrode de drain (32) et l'électrode de grille (33) sont espacées l'une de l'autre sur la première couche active (21) ; l'électrode de grille (33) est disposée entre l'électrode de source (31) et l'électrode de drain (32) ; la seconde couche active (22) est disposée sur l'électrode de grille (33), l'électrode de source (31) et l'électrode de drain (32) ; à la fois l'électrode de source (31) et l'électrode de drain (32) sont connectées à la première couche active (21) et à la seconde couche active (22) ; et l'électrode de grille (33) est respectivement isolée de la première couche active (21), de la seconde électrode active (22), de l'électrode de source (31) et de l'électrode de drain (32) ; lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille (33), l'électrode de source (31) et l'électrode de drain (32) peuvent être reliées au moyen de la première couche active (21), et l'électrode de source (31) et l'électrode de drain (32) peuvent également être reliées au moyen de la deuxième couche active (22) ; à la fois l'électrode de source (31) et l'électrode de drain (32) peuvent être connectées simultanément au moyen de la première couche active (21) et de la seconde couche active (22) lorsque le transistor à couches minces est connecté, un courant plus important peut circuler entre l'électrode de source (31) et l'électrode de drain (32), de façon à augmenter le courant à l'état passant du transistor à couches minces.