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1. (WO2018201721) HFET AMÉLIORÉ
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N° de publication : WO/2018/201721 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/115427
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 11.12.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/778][IPC code unknown for H01L 29/06][IPC code unknown for H01L 29/423]
Déposants :
中国电子科技集团公司第十三研究所 THE 13TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION [CN/CN]; 中国河北省石家庄市 新华区合作路113号 No. 113 Cooperation Road, Xinhua District Shijiazhuang, Hebei 050051, CN
Inventeurs :
王元刚 WANG, Yuangang; CN
冯志红 FENG, Zhihong; CN
吕元杰 LV, Yuanjie; CN
谭鑫 TAN, Xin; CN
宋旭波 SONG, Xubo; CN
周幸叶 ZHOU, Xingye; CN
房玉龙 FANG, Yulong; CN
顾国栋 GU, Guodong; CN
郭红雨 GUO, Hongyu; CN
蔡树军 CAI, Shujun; CN
Mandataire :
石家庄国为知识产权事务所 SHIJIAZHUANG GOWELL INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国河北省石家庄市 谈固南大街45号9层 9 Floor, No. 45, Tangu South Street Shijiazhuang, Hebei 050031, CN
Données relatives à la priorité :
201710308243.504.05.2017CN
Titre (EN) ENHANCED HFET
(FR) HFET AMÉLIORÉ
(ZH) 增强型HFET
Abrégé :
(EN) An enhanced HFET, comprising a HFET device body. Regions without two-dimensional electron gas are provided on a channel layer (2) at the portion between a drain electrode (6) and a source electrode (4) of the HFET device body, and there is a region without two-dimensional electron gas provided on the channel layer (2) at the portions excluding the area under a gate electrode (5); two-dimensional electron gas regions are provided on the channel layer (2) excluding the portions located between the drain electrode (6) and the source electrode (4) and provided with the regions without two-dimensional electron gas; the channel layer (2) at the portion between the gate electrode (5) and the source electrode (4) and the portion between the gate electrode (5) and the drain electrode (6) are each provided with a two-dimensional electron gas region; and two-dimensional electron gas (8) is provided at a portion or whole portion of a two-dimensional electron gas layer at the channel layer (2) at the portion right under the gate electrode (5). The HFET has the advantages of high saturation current, high threshold voltage controllability, fast response, low energy consumption, and the like.
(FR) L'invention concerne un HFET amélioré comprenant un corps de dispositif HFET. Des régions sans gaz électronique bidimensionnel sont disposées sur une couche de canal (2) au niveau de la partie entre une électrode de drain (6) et une électrode de source (4) du corps de dispositif HFET, et il y a une région sans gaz électronique bidimensionnel disposée sur la couche de canal (2) au niveau des parties à l'exclusion de la zone sous une électrode de grille (5); des régions de gaz électronique bidimensionnel sont disposées sur la couche de canal (2) à l'exclusion des parties situées entre l'électrode de drain (6) et l'électrode de source (4) et comprend les régions sans gaz électronique bidimensionnel; la couche de canal (2) au niveau de la partie entre l'électrode de grille (5) et l'électrode de source (4) et la partie entre l'électrode de grille (5) et l'électrode de drain (6) comprennent chacune une région de gaz électronique bidimensionnel; et un gaz électronique bidimensionnel (8) est disposé au niveau d'une partie ou d'une partie entière d'une couche de gaz électronique bidimensionnel au niveau de la couche de canal (2) au niveau de la partie juste sous l'électrode de grille (5). Le HFET présente les avantages d'un courant de saturation élevé, d'une contrôlabilité de tension de seuil élevée, d'une réponse rapide, d'une faible consommation d'énergie et similaires.
(ZH) 一种增强型HFET,包括HFET器件本体,所述HFET器件本体的漏电极(6)与源电极(4)之间的沟道层(2)上存在无二维电子气区,且栅电极(5)以外的沟道层(2)上存在无二维电子气区,无二维电子气区之外的漏电极(6)与源电极(4)之间的沟道层(2)上设有二维电子气区,且栅电极(5)与源电极(4)之间以及栅电极(5)与漏电极(6)之间的沟道层(2)上均存在二维电子气区,栅电极(5)正下方的沟道层(2)在二维电子气层的位置部分或全部存在二维电子气(8)。所述HFET具有饱和电流大、阈值电压可控性强、响应速度快以及能耗低等优点。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)