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1. (WO2018199999) FORMATION DE SOURCES/DE DRAINS DE TRANSISTOR MICROÉLECTRONIQUE PAR GRAVURE OBLIQUE

Pub. No.:    WO/2018/199999    International Application No.:    PCT/US2017/030222
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Apr 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/66
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: SUNG, Seung Hoon
RADOSAVLJEVIC, Marko
THEN, Han Wui
DASGUPTA, Sansaptak
Title: FORMATION DE SOURCES/DE DRAINS DE TRANSISTOR MICROÉLECTRONIQUE PAR GRAVURE OBLIQUE
Abstract:
L'invention concerne un transistor microélectronique pouvant être fabriqué et ayant des sources et des drains asymétriques par l'utilisation de la gravure oblique. Dans un mode de réalisation, une grille de transistor peut être formée sur un substrat microélectronique ayant une paire d'éléments d'espacement de grille symétriques formées sur des parois latérales opposées de la grille de transistor. Une première gravure oblique peut être dirigée vers un premier élément d'espacement de grille pour former un premier évidement et une deuxième gravure oblique peut être dirigée vers un deuxième élément d'espacement de grille pour former un deuxième évidement, dans lequel le premier évidement est plus proche ou s'étend plus loin sous la grille de transistor par rapport au deuxième évidement. Une source peut ensuite être formée dans le premier évidement et un drain peut être formé dans le deuxième évidement, comme par le biais d'un processus de reformation.