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1. (WO2018198947) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FRAGMENT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE GESTION DE LA CONCENTRATION EN MÉTAL DE SURFACE DE FRAGMENT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN

Pub. No.:    WO/2018/198947    International Application No.:    PCT/JP2018/016217
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 20 01:59:59 CEST 2018
IPC: C01B 33/035
B02C 1/02
B02C 13/00
C30B 29/06
Applicants: TOKUYAMA CORPORATION
株式会社トクヤマ
Inventors: NISHIMURA Shigeki
西村 茂樹
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FRAGMENT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE GESTION DE LA CONCENTRATION EN MÉTAL DE SURFACE DE FRAGMENT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication de fragments de silicium polycristallin qui comprend : une étape de fabrication d’une tige de silicium polycristallin par le procédé Siemens, une étape de fracturation de la tige de silicium polycristallin pour obtenir des fragments de silicium polycristallin ; et une étape de gravure et de nettoyage des fragments de silicium polycristallin dans une cuve de nettoyage. Dans l’étape de nettoyage, de petites pièces de silicium polycristallin présentant des formes et des tailles régulées sont amenées à être présentes dans la cuve de nettoyage et le changement de poids des petites pièces du silicium polycristallin avant et après le procédé de gravure est mesuré pour gérer ainsi l’étape de nettoyage. La présente invention concerne également un procédé de gestion de la concentration en métal de surface des fragments de silicium polycristallin.