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1. (WO2018198663) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM DE TYPE n, LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM DE TYPE n, TRANCHE DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL

Pub. No.:    WO/2018/198663    International Application No.:    PCT/JP2018/013362
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018
IPC: C30B 29/06
C30B 15/20
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: MAEGAWA Koichi
前川 浩一
NARUSHIMA Yasuhito
鳴嶋 康人
KAWAKAMI Yasufumi
川上 泰史
OGAWA Fukuo
小川 福生
TSUTSUMI Yuuji
堤 有二
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM DE TYPE n, LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM DE TYPE n, TRANCHE DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
Abstract:
L'invention concerne un procédé de production de monocristal de silicium de type n, dans lequel on fait croître un monocristal de silicium par le procédé de Czochralski par son tirage vers le haut à partir d'une masse fondue de silicium qui comprend du phosphore rouge comme dopant principal. La résistivité électrique au point de départ d'une partie du corps du monocristal de silicium est régulée de 0,80-1,05 mΩcm puis, lorsqu'on fait croître le monocristal de silicium par son tirage vers le haut, la résistivité électrique du monocristal de silicium est progressivement réduite et la résistivité électrique d'une partie du monocristal de silicium est amenée à valoir au moins 0,5 mΩcm mais moins de 0,6 mΩcm.