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1. (WO2018197096) DISPOSITIF POUR LA COMMANDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP D'ÉTAGE FINAL À CANAL N AUTOCONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/197096 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/056165
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 13.03.2018
CIB :
H03F 1/02 (2006.01) ,H03K 17/06 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01) ,H03F 3/21 (2006.01) ,H03F 3/217 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02
Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
06
Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
217
Amplificateurs de puissance de classe D; Amplificateurs à commutation
Déposants :
FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17 12489 Berlin, DE
Inventeurs :
HOFFMANN, Thomas; DE
Mandataire :
GULDE & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWALTSKANZLEI MBB; Wallstr. 58/59 10179 Berlin, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 108 828.825.04.2017DE
Titre (EN) DEVICE FOR CONTROLLING A SELF-CONDUCTING N-CHANNEL OUTPUT STAGE FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF POUR LA COMMANDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP D'ÉTAGE FINAL À CANAL N AUTOCONDUCTEUR
(DE) VORRICHTUNG ZUR ANSTEUERUNG EINES SELBSTLEITENDEN N-KANAL ENDSTUFENFELDEFFEKTTRANSISTORS
Abrégé :
(EN) The invention relates to a device (100) for controlling a self-conducting n-channel output stage field effect transistor (V1), comprising a control signal input (110), a control signal output (120) for connection to a gate electrode (V1G) of the output stage field effect transistor (V1), a first node (N1), which is connected to the control signal output (120), a second node (N2) and first transistor (V4). A source electrode (V4S) of the first transistor (V4) is connected to the first node (N1), a gate electrode (V4G) of the first transistor (V4) is connected to the second node (N2) and a drain electrode (V4D) of the first transistor (V4) is connected either to the source electrode of the output stage field effect transistor (V1) or to a supply voltage (+Vdd). A resistor (R1), with one end thereof, is connected to the second node (N2). The device (100) is characterised in that the resistor (R1), with the other end thereof, is connected to the first node (N1). Use of the first transistor (V4) can thus ensure that the supply voltage (Vdd) is present on the control signal output when a low-level signal is present on the control signal input (110).
(FR) Dispositif (100) pour la commande d'un transistor à effet de champ d'étage final à canal N autoconducteur comprenant une entrée de signal de commande (110), une sortie de signal de commande (120) pour la liaison avec une électrode de grille (V1G) du transistor à effet de champ d'étage final (V1), un premier nœud (N1) connecté à la sortie de signal de commande (120), un deuxième nœud (N2) et un premier transistor (4). Une électrode de source (V4S) du premier transistor (V4) est connectée au premier nœud (N1), une électrode de grille (V4G) du premier transistor (V4) est connectée au deuxième nœud (N2) et une électrode de drain (V4D) du premier transistor (V4) est liée soit à l'électrode de source du transistor à effet de champ d'étage final (V1) soit connectée à un tension d'alimentation (+Vdd). Une résistance (R1) est connectée par une extrémité au deuxième nœud (N2). Le dispositif (100) est caractérisé en ce que la résistance (R1) est connectée par l'autre extrémité au premier nœud (N1). Le premier transistor (V4) permet d'assurer que la tension d'alimentation (Vdd) est appliquée à la sortie de signal de commande lorsqu'un signal de bas niveau est appliqué à l'entrée de signal de commande (110).
(DE) Eine Vorrichtung (100) zur Ansteuerung eines selbstleitenden n-Kanal Endstufenfeldeffekttransistors (V1) umfasst einen Steuersignaleingang (110), einen Steuersignalausgang (120) zur Verbindung mit einer Gate-Elektrode (V1G) des Endstufenfeldeffekttransistors (V1), einen ersten Knotenpunkt (N1), der an den Steuersignalausgang (120) angeschlossen ist, einen zweiten Knotenpunkt (N2), und einen ersten Transistor (V4). Eine Source-Elektrode (V4S) des ersten Transistors (V4) ist an den ersten Knotenpunkt (N1), eine Gate-Elektrode (V4G) des ersten Transistors (V4) ist an den zweiten Knotenpunkt (N2) angeschlossen und eine Drain-Elektrode (V4D) des ersten Transistors (V4) ist entweder mit der Source-Elektrode des Endstufenfeldeffekttransistors (V1) verbunden, oder an eine Versorgungsspannung (+Vdd) angeschlossen. Ein Widerstand (R1) ist mit einem Ende an den zweiten Knotenpunkt (N2) angeschlossen. Die Vorrichtung (100) ist dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand (R1) mit dem anderen Ende an den ersten Knotenpunkt (N1) angeschlossen ist. Mithilfe des ersten Transistors (V4) lässt sich so bewirken, dass am Steuersignalausgang die Versorgungsspannung(Vdd), anliegt wenn am Steuersignaleingang (110) ein Low-Level Signal anliegt.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)