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1. (WO2018182749) TRANSISTORS À CANAL RICHE EN GERMANIUM COMPRENANT UN OU PLUSIEURS ÉLÉMENTS DE BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT

Pub. No.:    WO/2018/182749    International Application No.:    PCT/US2017/025644
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sun Apr 02 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/08
H01L 29/16
H01L 29/78
H01L 29/06
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: GLASS, Glenn A.
MURTHY, Anand S.
JAMBUNATHAN, Karthik
CHU-KUNG, Benjamin
SUNG, Seung Hoon
KAVALIEROS, Jack T.
GHANI, Tahir
KENNEL, Harold W.
Title: TRANSISTORS À CANAL RICHE EN GERMANIUM COMPRENANT UN OU PLUSIEURS ÉLÉMENTS DE BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT
Abstract:
Techniques de formation de transistors à canal riche en germanium (Ge) comprenant un ou plusieurs éléments de barrière de diffusion de dopant. L'introduction d'un ou de plusieurs éléments de diffusion de dopant dans au moins une partie d'une région de source/drain donnée (S/D) aide à inhiber la diffusion non souhaitée de dopant (par exemple, B, P, ou As) dans la région de canal riche en Ge adjacente. Selon certains modes de réalisation, les éléments qui peuvent être inclus dans une région S/D donnée pour aider à empêcher la diffusion de dopant indésirable comprennent au moins un composé d'étain et de silicium relativement élevé. En outre, selon certains modes de réalisation, le carbone peut également être inclus pour aider à empêcher la diffusion de dopant indésirable. Selon certains modes de réalisation, l'un des éléments de barrière de diffusion de dopant peut être inclus dans une couche interfaciale entre une région S/D donnée et la région de canal riche en Ge et/ou dans au moins une majorité d'une région S/D donnée. De nombreux modes de réalisation, configurations et variantes seront apparents.