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1. (WO2018181240) RUBAN ADHÉSIF POUR PROTECTION DE SURFACE DE TRANCHE SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE TRANCHE SEMICONDUCTRICE

Pub. No.:    WO/2018/181240    International Application No.:    PCT/JP2018/012284
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 28 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/304
C09J 7/20
C09J 7/30
C09J 7/38
C09J 201/00
H01L 21/301
H01L 21/683
Applicants: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
古河電気工業株式会社
Inventors: GOTO, Yusuke
五島 裕介
Title: RUBAN ADHÉSIF POUR PROTECTION DE SURFACE DE TRANCHE SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE TRANCHE SEMICONDUCTRICE
Abstract:
L'invention concerne un ruban adhésif pour protection de surface de tranche semiconductrice qui est utilisé de manière thermocollée, dans des conditions de 40 °C à 90 °C, sur la surface de la tranche semiconductrice ayant une différence de hauteur de creux à protubérance supérieure ou égale à 20 µm; ce ruban adhésif pour la protection de surface de tranche semiconductrice comprend un film de substrat, et une couche adhésive, et une couche de résine intermédiaire entre le film de substrat et la couche adhésive, l'épaisseur de la couche de résine intermédiaire est supérieure ou égale à la différence de hauteur de creux à protubérance susmentionnée, le point de fusion ou le point de ramollissement Vicat de la résine constituant la couche de résine intermédiaire est de 40 °C à 90 °C, et le débit massique en fusion de la résine constituant la couche de résine intermédiaire est de 10 à 100 g/min Ce procédé de traitement de tranche semiconductrice utilise le ruban adhésif pour la protection de surface de tranche semiconductrice.