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1. (WO2018180881) APPAREIL DE LIAISON ET PROCÉDÉ DE LIAISON
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N° de publication : WO/2018/180881 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/011382
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 22.03.2018
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
株式会社新川 SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585, JP
Inventeurs :
渡辺 治 WATANABE Osamu; JP
萩原 美仁 HAGIWARA Yoshihito; JP
中村 智宣 NAKAMURA Tomonori; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
小松 秀輝 KOMATSU Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-06759730.03.2017JP
Titre (EN) BONDING APPARATUS AND BONDING METHOD
(FR) APPAREIL DE LIAISON ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) ボンディング装置及びボンディング方法
Abrégé :
(EN) A bonding apparatus 1 which bonds a semiconductor die 102 to a substrate 101 by thermocompression, with an adhesive material 103 being interposed therebetween. This bonding apparatus 1 is provided with: a bonding tool 12 which has a bonding surface 24 that holds the semiconductor die 102, with a first portion R1 of a tape 200 being interposed therebetween, and a pair of first tape constraining surfaces 26A, 26B that are arranged so as to sandwich the bonding surface 24 and constrain a second portion R2 of the tape 200; tape constraining mechanisms 21A, 21B which have a second tape constraining surface 37 that presses the tape 200 against the first tape constraining surfaces 26A, 26B; and a control unit 8 which controls the movements of the bonding tool 12 and the tape constraining mechanisms 21A, 21B.
(FR) L'invention concerne un appareil de liaison 1 qui lie une puce semiconductrice 102 à un substrat 101 par thermocompression, avec un matériau adhésif 103 étant interposé entre ceux-ci. Cet appareil de liaison 1 comprend : un outil de liaison 12 qui a une surface de liaison 24 qui maintient la puce semiconductrice 102, une première partie R1 d'une bande 200 étant interposée entre celles-ci, et une paire de premières surfaces de contrainte de bande 26A, 26B qui sont agencées de façon à prendre en sandwich la surface de liaison 24 et contraignant une seconde partie R2 de la bande 200; des mécanismes de contrainte de bande 21A, 21B qui ont une seconde surface de contrainte de bande 37 qui presse la bande 200 contre les premières surfaces de contrainte de bande 26A, 26B; et une unité de commande 8 qui commande les mouvements de l'outil de liaison 12 et des mécanismes de contrainte de bande 21A, 21B.
(JA) 半導体ダイ102を基板101に接着材料103を介して熱圧着するボンディング装置1である。ボンディング装置1は、テープ200の第1部分R1を介して半導体ダイ102を保持するボンディング面24と、ボンディング面24挟むように配置され、テープ200の第2部分R2を拘束する一対の第1テープ拘束面26A,26Bと、を有するボンディングツール12と、テープ200を第1テープ拘束面26A,26Bに押圧する第2テープ拘束面37を有するテープ拘束機構21A,21Bと、ボンディングツール12及びテープ拘束機構21A,21Bの動作を制御する制御部8と、を備える。
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Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)