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1. (WO2018179507) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
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N° de publication : WO/2018/179507 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/034049
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 21.09.2017
CIB :
H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants : KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventeurs : YAMAMOTO, Katsuhiko; JP
OKUNO, Masahisa; JP
JODA, Takuya; JP
TATENO, Hideto; JP
YANAI, Hidehiro; JP
HARA, Daisuke; JP
Données relatives à la priorité :
2017-06145227.03.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Abrégé :
(EN) [Problem] To reduce damage to a substrate processing device during processing using hydrogen peroxide. [Solution] A semiconductor device manufacturing method comprising: a step of generating a vapor by vaporizing a liquid raw material including hydrogen peroxide; and a step of supplying the vapor to a substrate accommodated in a first region in a processing chamber. In the step of supplying the vapor, the temperature of the substrate is maintained at a first temperature, and the temperature of a member facing a second region provided vertically under the first region in the processing chamber is maintained at a second temperature higher than the first temperature and lower than a temperature which, when a component included in the vapor is liquefied in the processing chamber and accumulated in the second region, produces a state in which a liquid including hydrogen peroxide accumulated in the second region causes an explosive decomposition reaction.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de réduire les dommages causés à un dispositif de traitement de substrat pendant le traitement à l'aide de peroxyde d'hydrogène. La solution selon l'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semiconducteur comprenant : une étape de génération d'une vapeur par vaporisation d'une matière première liquide comprenant du peroxyde d'hydrogène; et une étape de fourniture en vapeur à un substrat logé dans une première région dans une chambre de traitement. Dans l'étape de fourniture en vapeur, la température du substrat est maintenue à une première température, et la température d'un élément faisant face à une seconde région disposée verticalement sous la première région dans la chambre de traitement est maintenue à une seconde température supérieure à la première température et inférieure à une température qui, lorsqu'un composant inclus dans la vapeur est liquéfié dans la chambre de traitement et accumulé dans la seconde région, produit un état dans lequel un liquide comprenant du peroxyde d'hydrogène accumulé dans la seconde région provoque une réaction de décomposition explosive.
(JA) 課題: 過酸化水素を用いた処理を行う際における基板処理装置のダメージを低減させる。 解決手段: 過酸化水素を含む液体原料を気化させて気化ガスを生成する工程と、処理室内の第1領域に収容された基板に対して気化ガスを供給する工程と、を有し、気化ガスを供給する工程では、基板の温度を第1温度に維持し、処理室内のうち第1領域よりも鉛直方向下方に設けられた第2領域に面する部材の温度を、第1温度よりも高く、且つ、気化ガスに含まれる成分が処理室内で液化して第2領域に溜まった際に、第2領域に溜まった過酸化水素を含む液体が爆発的分解反応を起こす状態となる温度よりも低い第2温度に維持する。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)