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1. (WO2018177707) SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE BOULES MONOCRISTALLINES DE (SIC)
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N° de publication : WO/2018/177707 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/055627
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 07.03.2018
CIB :
C30B 23/00 (2006.01) ,C30B 29/36 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23
Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
36
Carbures
Déposants :
SICRYSTAL GMBH [DE/DE]; Thurn-und-Taxis-Straße 20 90411 Nürnberg, DE
Inventeurs :
DR. VOGEL, Michael; DE
DR. ECKER, Bernhard; DE
DR. MÜLLER, Ralf; DE
DR. STOCKMEIER, Matthias; DE
DR. WEBER, Arnd-Dietrich; DE
Mandataire :
DR. KOCH, Sabine; DE
Données relatives à la priorité :
17163515.429.03.2017EP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD OF GROWING SiC SINGLE CRYSTAL BOULES
(FR) SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE BOULES MONOCRISTALLINES DE (SIC)
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a silicon carbide (SiC) substrate with improved mechanical and electrical characteristics. Furthermore, the invention relates to a method for producing a bulk SiC crystal in a physical vapor transport growth system. The silicon carbide substrate comprises an inner region (102) which constitutes at least 30 % of a total surface area of said substrate (100), a ring shaped peripheral region (104) radially surrounding the inner region (102), wherein a mean concentration of a dopant in the inner region (102) differs by at least 1 - 1018 cm-3 from the mean concentration of this dopant in the peripheral region (104).
(FR) La présente invention concerne un substrat de carbure de silicium (SiC) présentant des caractéristiques mécaniques et électriques améliorées. En outre, l’invention concerne un procédé de production d’un cristal de (SiC) en vrac dans un système de croissance à transport de vapeur physique. Le substrat de carbure de silicium comprend une région interne (102) qui constitue au moins 30 % de la surface totale dudit substrat (100), une région périphérique en forme d’anneau (104) entourant radialement la région interne (102), où une concentration moyenne d’un dopant dans la région interne (102) diffère d’au moins 1 à 1018cm-3 de la concentration moyenne dudit dopant dans la région périphérique (104).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)