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1. (WO2018166024) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE

Pub. No.:    WO/2018/166024    International Application No.:    PCT/CN2017/080406
Publication Date: Fri Sep 21 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Apr 14 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 21/28
H01L 29/786
H01L 21/77
H01L 27/12
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: CAI, Xiaolong
蔡小龙
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
Abstract:
L’invention concerne un procédé de fabrication d’un transistor à couches minces et un procédé de fabrication d’un substrat de matrice. Le procédé consiste à : former, sur un substrat de base (20), des couches de transfert (212) qui sont disposées en alternance à intervalles ; former, sur les couches de transfert, d'une couche métallique (22) recouvrant le substrat de base ; et réaliser un processus de démoulage DIW sur les couches de transfert, de manière à dénuder les couches de transfert et la couche métallique au-dessus de celles-ci à partir du substrat de base, et conserver la couche métallique, non disposée au-dessus des couches de transfert, sur le substrat de base, de manière à former une électrode métallique (23) du transistor à couches minces.