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1. (WO2018164197) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ARTICLE TRAITÉ DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
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N° de publication :
WO/2018/164197
N° de la demande internationale :
PCT/JP2018/008827
Date de publication :
13.09.2018
Date de dépôt international :
07.03.2018
CIB :
C01B 33/035
(2006.01)
C
CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33
Silicium; Ses composés
02
Silicium
021
Préparation
027
par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
035
par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés en présence de filaments chauffés de silicium, de carbone ou d'un métal réfractaire, p.ex. de tantale ou de tungstène, ou en présence de tiges de silicium chauffées sur lesquelles le silicium formé se dépose avec obtention d'une tige de silicium, p.ex. procédé Siemens
Déposants :
株式会社トクヤマ TOKUYAMA CORPORATION
[JP/JP]; 山口県周南市御影町1番1号 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648, JP
Inventeurs :
秋吉 彩生 AKIYOSHI Ayao
; JP
Mandataire :
前田・鈴木国際特許業務法人 MAEDA & SUZUKI
; 東京都千代田区一ツ橋2丁目5番5号 岩波書店一ツ橋ビル8階 Iwanami Shoten Hitotsubashi Bldg. 8F., 5-5, Hitotsubashi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010003, JP
Données relatives à la priorité :
2017-044202
08.03.2017
JP
Titre
(EN)
METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON PROCESSED ARTICLE
(FR)
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ARTICLE TRAITÉ DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA)
多結晶シリコン加工品の製造方法
Abrégé :
(EN)
[Problem] To provide a novel method for producing a polycrystalline silicon processed article, the method including a step for preventing carbon contamination of a polycrystalline silicon rod surface by a carbon member present on the polycrystalline silicon rod end portion when handling a polycrystalline silicon rod obtained by the Siemens method. [Solution] Provided is a method for producing a polycrystalline silicon processed article, the method being characterized in that, in a method for removing a polycrystalline silicon rod obtained by precipitating polycrystalline silicon on a silicon core wire held by a carbon member connected to an electrode in a reactor by the Siemens method in a state in which the carbon member is included at the end portion thereof and processing the polycrystalline silicon rod, there is included a step for detaching the polycrystalline silicon rod from the electrode and covering the carbon member present on the end portion of the polycrystalline silicon rod using a covering material until processing, whereby the polycrystalline silicon rod and the carbon member are handled in a separated state.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir un nouveau procédé de production d'un article traité de silicium polycristallin, le procédé comprenant une étape consistant à empêcher la contamination au carbone d'une surface de tige de silicium polycristallin par un élément de carbone présent sur la partie d'extrémité de tige de silicium polycristallin lors de la manipulation d'une tige de silicium polycristallin obtenue selon le procédé Siemens. La solution selon l'invention porte sur un procédé de production d'un article traité de silicium polycristallin, le procédé étant caractérisé en ce que, dans un procédé de retrait d'une tige de silicium polycristallin obtenue par précipitation de silicium polycristallin sur un fil de noyau de silicium maintenu par un élément de carbone connecté à une électrode dans un réacteur selon le procédé Siemens dans un état dans lequel l'élément de carbone est inclus au niveau de la partie d'extrémité de la tige et de traitement de la tige de silicium polycristallin, une étape consistant à détacher la tige de silicium polycristallin de l'électrode et à recouvrir l'élément de carbone présent sur la partie d'extrémité de la tige de silicium polycristallin à l'aide d'un matériau de recouvrement jusqu'au traitement, la tige de silicium polycristallin et l'élément de carbone étant manipulés à l'état séparé.
(JA)
【課題】ジーメンス法により得られた多結晶シリコンロッドを取り扱う際に、上記多結晶シリコンロッド端部に存在するカーボン部材による、多結晶シリコンロッド表面のカーボン汚染を防止する工程を含む、多結晶シリコン加工品の新規な製造方法を提供する。 【解決手段】 ジーメンス法による反応器内で電極に接続したカーボン部材に保持されたシリコン芯線に多結晶シリコンを析出せしめて得られた多結晶シリコンロッドを、その端部に上記カーボン部材を含む状態で取り出し、これを加工する方法において、上記多結晶シリコンロッドを上記電極から取り外し、加工するまでの間に、上記多結晶シリコンロッドの端部に存在するカーボン部材を、被覆材を用いて被覆することにより、多結晶シリコンロッドとカーボン部材とを隔離した状態で取り扱う工程を含むことを特徴とする、多結晶シリコン加工品の製造方法を提供する。
États désignés :
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication :
japonais (
JA
)
Langue de dépôt :
japonais (
JA
)