Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018163623) DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/163623 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/001874
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 23.01.2018
CIB :
G01L 5/00 (2006.01) ,G01L 1/14 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
L
MESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
5
Appareils ou méthodes pour la mesure des forces, p.ex. de la force produite par un choc, pour la mesure du travail, de la puissance mécanique ou du couple, adaptés à des buts particuliers
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
L
MESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
1
Mesure des forces ou des contraintes, en général
14
en mesurant les variations de la capacité ou de l'inductance des éléments électriques, p.ex. en mesurant les variations de fréquence des oscillateurs électriques
Déposants :
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
Inventeurs :
平野 栄樹 HIRANO Hideki; JP
室山 真徳 MUROYAMA Masanori; JP
田中 秀治 TANAKA Shuji; JP
Mandataire :
須田 篤 SUDA Atsushi; JP
楠 修二 KUSUNOKI Shuji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04349208.03.2017JP
Titre (EN) PRESSURE SENSOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PRESSURE SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION
(JA) 感圧センサ装置および感圧センサ装置の製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a pressure sensor device and a method for manufacturing a pressure sensor device, whereby a pressure-sensitive element in which a semiconductor integrated circuit is integrated as a single body can be endowed with small dimensions, and spatial resolution can be increased. [Solution] The present invention has a flexible wiring substrate 11, and a plurality of pressure-sensitive elements 12 in each of which a semiconductor integrated circuit 21 is integrated as a single body. The pressure-sensitive elements 12 are attached to one surface 11b side of the flexible wiring substrate 11 and are electrically connected to wiring of the flexible wiring substrate 11. The present invention is constituted so that a pressure applied to the other surface 11c of the flexible wiring substrate 11 corresponding to the attachment positions of the pressure-sensitive elements 12 can be detected by a corresponding pressure-sensitive element 12 through the flexible wiring substrate 11.
(FR) L'invention traite le problème de la réalisation d'un dispositif capteur de pression et d'un procédé de fabrication d'un dispositif capteur de pression, caractérisés en ce qu'un élément sensible à la pression dans lequel un circuit intégré à semi-conducteur est intégré d'un seul tenant peut être doté de petites dimensions, et en ce que la résolution spatiale peut être accrue. Une solution selon la présente invention comprend un substrat 11 de câblage souple, et une pluralité d'éléments 12 sensibles à la pression dans chacun desquels un circuit intégré 21 à semi-conducteur est intégré d'un seul tenant. Les éléments 12 sensibles à la pression sont fixés à un côté de surface 11b du substrat 11 de câblage souple et sont reliés électriquement à un câblage du substrat 11 de câblage souple. La présente invention est constituée de telle façon qu'une pression appliquée à l'autre surface 11c du substrat 11 de câblage souple correspondant aux positions de fixation des éléments 12 sensibles à la pression puisse être détectée par un élément correspondant 12 sensible à la pression à travers le substrat 11 de câblage souple.
(JA) 【課題】半導体集積回路を一体集積化した感圧素子の寸法をより小さくすることができ、空間分解能を高めることができる感圧センサ装置および感圧センサ装置の製造方法を提供する。 【解決手段】フレキシブル配線基板11と、それぞれ半導体集積回路21が一体的に集積化された複数の感圧素子12とを有している。各感圧素子12は、フレキシブル配線基板11の一方の表面11b側に取り付けられて、フレキシブル配線基板11の配線に電気的に接続されている。各感圧素子12の取付位置に対応するフレキシブル配線基板11の他方の表面11cに加えられた圧力を、フレキシブル配線基板11を介して対応する感圧素子12により検出可能に構成されている。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)