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1. (WO2018161400) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE D'ÉLECTRODE DANS UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE FLEXIBLE

Pub. No.:    WO/2018/161400    International Application No.:    PCT/CN2017/080078
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Apr 12 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/77
H01L 27/12
H01L 21/28
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: WANG, Xing
王幸
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE D'ÉLECTRODE DANS UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE FLEXIBLE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche d'électrode dans un substrat de transistor à couche mince (TFT) et un procédé de fabrication d'un substrat de TFT flexible. Le procédé de fabrication d'une couche d'électrode dans un substrat de TFT selon la présente invention comprend les étapes consistant à : former d'abord une couche de nickel métallique sur un substrat de silicium ; déposer par la suite une couche de graphène sur la couche de nickel métallique, par dépôt chimique en phase vapeur et graver la couche de graphène par gravure au plasma pour former une couche de graphène à motifs ; et enfin dissoudre la couche de nickel métallique de manière à séparer la couche de graphène à motifs du substrat de silicium, et transférer la couche de graphène à motifs pour obtenir la couche d'électrode du substrat de TFT. La couche d'électrode faite d'un matériau de graphène présente de bonnes propriétés conductrices et mécaniques, et présente également une stabilité thermique et une stabilité chimique. Le procédé de fabrication met en œuvre la fabrication d'une couche d'électrode appropriée pour la flexion d'un dispositif d'affichage flexible.