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1. (WO2018160187) DISPOSITIF À BITS QUANTIQUES SUPRACONDUCTEURS AVEC JONCTIONS JOSEPHSON DE NITRURE DE BORE HEXAGONAL
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N° de publication : WO/2018/160187 N° de la demande internationale : PCT/US2017/020581
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 03.03.2017
CIB :
H01L 39/02 (2006.01) ,H01L 39/22 (2006.01) ,H01L 39/24 (2006.01) ,H01L 29/15 (2006.01) ,H01L 27/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
22
Dispositifs comportant une jonction de matériaux différents, p.ex. dispositifs à effet Josephson
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
24
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par H01L39/134
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
15
Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
18
comprenant des composants présentant un effet de supraconductivité
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
CAUDILLO, Roman; US
YOSCOVITS, Zachary R.; US
ROBERTS, Jeanette M.; US
CLARKE, James S.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
THOMAS, Nicole K.; US
GEORGE, Hubert C.; US
AMIN, Payam; US
Mandataire :
HARTMANN, Natalya; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUPERCONDUCTING QUBIT DEVICES WITH HEXAGONAL BORON NITRIDE JOSEPHSON JUNCTIONS
(FR) DISPOSITIF À BITS QUANTIQUES SUPRACONDUCTEURS AVEC JONCTIONS JOSEPHSON DE NITRURE DE BORE HEXAGONAL
Abrégé :
(EN) Described herein are qubit devices having one or more Josephson Junctions which include hexagonal boron nitride (hBN) as a tunnel barrier layer provided between a base electrode layer and a top electrode layer of each Josephson Junction, as well as methods for fabricating such devices. Because hBN is a two-dimensional (2D) material, tunnel barrier thickness can be accurately and reliably controlled, resulting in less variations between different Josephson Junctions. Due to the 2D nature of hBN, all bonds may be directed in the plane of the tunnel barrier layer and no dangling bonds may be left to interact and degrade the neighboring base and top electrodes. Furthermore, hBN can act as a diffusion batter and is a non-reactive material, thus enabling increased stability of the junction to thermal processing that would otherwise degrade a typical junction.
(FR) La présente invention concerne des dispositifs à bits quantiques, ayant une ou plusieurs jonctions Josephson qui incluent du nitrure de bore hexagonal (hBN) en tant que couche barrière de tunnel disposé entre une couche d’électrode inférieure et une couche d’électrode supérieure de chaque jonction Josephson, ainsi que des procédés de fabrication de tels dispositifs. Étant donné que le hBN est un matériau bidimensionnel (2D), l’épaisseur de barrière de tunnel peut être contrôlée de manière précise et fiable, ce qui a pour résultat moins de variations entre différentes jonctions Josephson. En raison de la nature 2D du hBN, toutes les liaisons peuvent être dirigées dans le plan de la couche barrière de tunnel et aucune liaison pendante ne peut être laissée pour interagir avec les électrodes inférieures et supérieures voisines et les dégrader. Par ailleurs, le hBN peut servir de pâte de diffusion et est un matériau non réactif, ce qui permet d’augmenter la stabilité de la jonction à un traitement thermique qui dégraderait par ailleurs une jonction typique.
front page image
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)