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1. (WO2018159368) AGENT ET PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/159368 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005824
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 20.02.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP
Inventeurs :
大森 啓之 OOMORI, Hiroyuki; JP
八尾 章史 YAO, Akifumi; JP
柏葉 崇 KASHIWABA, Takashi; JP
Mandataire :
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi; JP
山口 幸二 YAMAGUCHI, Koji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-03584828.02.2017JP
Titre (EN) DRY ETCHING AGENT, DRY ETCHING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) AGENT ET PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ドライエッチング剤、ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a dry etching agent which places little burden on the global environment, and which is capable of performing an anisotropic etching without using a special apparatus, while enabling the achievement of a good etched shape; and a dry etching method which uses this dry etching agent. A dry etching agent according to the present invention contains at least a hydrofluoroalkylene oxide which is represented by chemical formula CF3-CxHyFzO (wherein x is 2 or 3, y is 1, 2, 3, 4 or 5 and z=2x-1-y) and has a three-membered ring structure containing an oxygen atom. In a dry etching method according to the present invention, at least one silicon material selected from the group consisting of silicon dioxide, silicon nitride, polycrystalline silicon, amorphous silicon and silicon carbide is selectively etched with use of a plasma gas that is obtained by exciting the dry etching agent into a plasma.
(FR) La présente invention vise à fournir : un agent de gravure sèche qui représente une faible charge pour l'environnement global et qui permet d'exécuter une gravure anisotrope sans avoir recours à un appareil spécial, tout en permettant d'obtenir une bonne forme gravée; un procédé de gravure sèche qui fait appel à un tel agent de gravure sèche. Selon la présente invention, un agent de gravure sèche contient au moins un oxyde d'hydrofluoroalkylène représenté par la formule chimique CF3-CxHyFzO (où x est 2 ou 3, y est 1, 2, 3, 4 ou 5 et z = 2x – 1-y), et possède une structure cyclique à trois éléments contenant un atome d'oxygène. Dans un procédé de gravure sèche selon la présente invention, au moins un matériau de silicium choisi dans le groupe constitué par le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium, le silicium polycristallin, le silicium amorphe et le carbure de silicium est sélectivement gravé à l'aide d'un gaz plasma qui est obtenu par excitation de l'agent de gravure sèche dans un plasma.
(JA) 本発明は、地球環境負荷が小さく、かつ、特殊な装置を使用することなく異方性エッチングが可能で、良好な加工形状が得られるドライエッチング剤、及びそれを用いたドライエッチング方法を提供することを目的とする。本発明のドライエッチング剤は、少なくとも、化学式CF3-CxyzO(x=2または3、y=1,2,3,4または5、z=2x-1-y)で表され、酸素原子を含む三員環構造を有するハイドロフルオロアルキレンオキサイドを含む。また、本発明のドライエッチング方法では、このドライエッチング剤をプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングする。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)