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1. (WO2018159345) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE
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N° de publication : WO/2018/159345 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005652
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 19.02.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
9
Détails des systèmes de télévision en couleurs
04
Générateurs de signaux d'image
07
avec une seule tête de lecture
Déposants :
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs :
町田 貴志 MACHIDA Takashi; JP
吉田 遼人 YOSHITA Ryoto; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04013603.03.2017JP
Titre (EN) IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 撮像素子
Abrégé :
(EN) The present technology relates to an image pickup element enabling to reduce PLS, while suppressing deterioration of sensitivity. Disclosed is an image pickup element wherein a pixel is provided with: a semiconductor substrate; a photoelectric conversion section formed in the semiconductor substrate; a first charge storage section for storing charges generated by the photoelectric conversion section; and a first transfer gate section, which is formed on an opposite surface of the semiconductor substrate, said opposite surface being on the reverse side of the light incidence surface of the semiconductor substrate, and which is used for the purpose of transferring the charges from the photoelectric conversion section to the first charge storage section. The first transfer gate section is provided with a first electrode embedded in a first trench that is formed in the semiconductor substrate from the opposite surface of the semiconductor substrate, and the photoelectric conversion section is provided with the first electrode, and a second electrode surrounding at least a part of the periphery of the first electrode. The present technology can be applied to, for instance, CMOS image sensors.
(FR) La présente technologie concerne un élément de capture d'image permettant de réduire le PLS, tout en supprimant la détérioration de la sensibilité. L'invention concerne un élément de capture d'image dans lequel un pixel comporte : un substrat semiconducteur; une section de conversion photoélectrique formée dans le substrat semiconducteur; une première section de stockage de charges pour stocker des charges générées par la section de conversion photoélectrique; et une première section de grille de transfert, qui est formée sur une surface opposée du substrat semiconducteur, ladite surface opposée étant sur le côté opposé de la surface d'incidence de lumière du substrat semiconducteur, et qui est utilisée dans le but de transférer les charges de la section de conversion photoélectrique à la première section de stockage de charges. La première section de grille de transfert comprend une première électrode intégrée dans une première tranchée qui est formée dans le substrat semiconducteur à partir de la surface opposée du substrat semiconducteur, et la section de conversion photoélectrique comprend la première électrode, et une seconde électrode entourant au moins une partie de la périphérie de la première électrode. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à des capteurs d’image CMOS.
(JA) 本技術は、感度の低下を抑制しつつ、PLSを低減することができるようにする撮像素子に関する。 撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成されている光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を蓄積する第1の電荷蓄積部と、前記半導体基板の光の入射面と反対側の反対面に形成され、前記光電変換部から前記第1の電荷蓄積部への電荷の転送に用いられる第1の転送ゲート部とを画素内に備え、前記第1の転送ゲート部は、前記半導体基板の反対面から前記半導体基板内に形成されている第1のトレンチに埋め込まれている第1の電極を備え、前記光電変換部は、前記第1の電極と、前記第1の電極の周囲の少なくとも一部を囲む第2の電極とを備える。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)