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1. (WO2018159163) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/159163 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/002153
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 24.01.2018
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,G03F 1/82 (2012.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68
Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
82
Procédés auxiliaires, p.ex. nettoyage ou inspection
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
武明 励 TAKEAKI, Rei; JP
安藤 幸嗣 ANDO, Koji; JP
前川 直嗣 MAEGAWA, Tadashi; JP
石井 弘晃 ISHII, Hiroaki; JP
安武 陽介 YASUTAKE, Yosuke; JP
Mandataire :
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Données relatives à la priorité :
2017-03756228.02.2017JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
Abrégé :
(EN) Provided is a substrate processing device comprising: a substrate holding unit; a substrate rotating unit; a circumferential edge height position measuring unit; a processing-liquid nozzle; a processing-liquid supply unit; a nozzle drive unit; and a control device. The control device executes: a circumferential edge height position measuring step for measuring the circumferential edge height positions via the circumferential edge height position measuring unit; an outer periphery processing step for processing an outer periphery of a main surface of a substrate by discharging a processing liquid from the processing-liquid nozzle toward the outer periphery of the substrate while rotating the substrate around the axis of rotation; and a liquid adhesion-position reciprocating movement step, executed in parallel with the outer periphery processing step, for driving the processing-liquid nozzle such that the processing-liquid nozzles reciprocates while tracking changes in height position of a disposed position circumferential end in order for an adhesion position of the processing liquid from the processing-liquid nozzle on the outer periphery of the substrate to maintain a fixed interval with the disposed position circumferential end, which is a circumferential end in a circumferential direction position where the processing-liquid nozzle is disposed on the peripheral edge of the substrate.
(FR) Cette invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant : une unité de support de substrat ; une unité de rotation de substrat ; une unité de mesure de position de hauteur de bord circonférentiel ; une buse à liquide de traitement ; une unité d'alimentation en liquide de traitement ; une unité de commande de buse ; et un dispositif de commande. Le dispositif de commande exécute : une étape de mesure de position de hauteur de bord circonférentiel consistant à mesurer les positions de hauteur de bord circonférentiel par l'intermédiaire de l'unité de mesure de position de hauteur de bord circonférentiel ; une étape de traitement de périphérie externe consistant à traiter une périphérie externe d'une surface principale d'un substrat par décharge d'un liquide de traitement à partir de la buse à liquide de traitement vers la périphérie externe du substrat tout en faisant tourner le substrat autour de l'axe de rotation ; et une étape de déplacement en va-et-vient de position d'adhésion de liquide, exécutée en parallèle avec l'étape de traitement de périphérie externe, consistant à entraîner la buse à liquide de traitement de telle sorte que la buse à liquide de traitement effectue un mouvement de va-et-vient tout en suivant des changements de position de hauteur d'une extrémité circonférentielle de position disposée afin de maintenir une position d'adhésion du liquide de traitement en provenance de la buse à liquide de traitement sur la périphérie externe du substrat pour maintenir un intervalle fixe avec l'extrémité circonférentielle de position disposée, qui est une extrémité circonférentielle dans une position de direction circonférentielle où la buse à liquide de traitement est disposée sur le bord périphérique du substrat.
(JA) 基板処理装置は、基板保持ユニットと、基板回転ユニットと、各周端高さ位置計測ユニットと、処理液ノズルと、処理液供給ユニットと、ノズル駆動ユニットと、制御装置とを含む。前記制御装置が、前記各周端高さ位置計測ユニットによって、前記各周端高さ位置を計測する各周端高さ位置計測工程と、前記回転軸線まわりに基板を回転させながら前記基板の外周部に向けて前記処理液ノズルから処理液を吐出することにより当該主面の外周部を処理する外周部処理工程と、前記外周部処理工程に並行して、前記基板の外周部における前記処理液ノズルからの処理液の着液位置が、前記基板の周端のうち当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端との間隔を一定に保つべく当該配置位置周端の高さ位置変化に追従して往復移動するように前記処理液ノズルを駆動する着液位置往復移動工程とを実行する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)