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1. (WO2018143987) CIRCUIT FRONTAL INTÉGRÉ À NITRURE DU GROUPE III
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N° de publication : WO/2018/143987 N° de la demande internationale : PCT/US2017/016162
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 02.02.2017
CIB :
H04B 1/00 (2006.01) ,H04B 1/48 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
B
TRANSMISSION
1
Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes H04B3/-H04B13/129; Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
B
TRANSMISSION
1
Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes H04B3/-H04B13/129; Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
38
Emetteurs récepteurs, c. à d. dispositifs dans lesquels l'émetteur et le récepteur forment un ensemble structural et dans lesquels au moins une partie est utilisée pour des fonctions d'émission et de réception
40
Circuits
44
Commutation transmission-réception
48
Circuits pour connecter l'émetteur et le récepteur à une voie de transmission commune, p.ex. par l'énergie de l'émetteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataire : NOEL, Samuel J.; US
PORTNOVA, Marina; US
OVANEZIAN, Daniel E.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GROUP III-NITRIDE INTEGRATED FRONT-END CIRCUIT
(FR) CIRCUIT FRONTAL INTÉGRÉ À NITRURE DU GROUPE III
Abrégé :
(EN) An apparatus, an integrated circuit die, and a method of fabricating a group III-nitride (III-N) integrated RF front-end circuit are disclosed. The apparatus includes a III-N integrated radio frequency (RF) front-end circuit that includes a semiconductor substrate, a plurality of functional blocks, each of the plurality of functional blocks comprising a III-N structure on the semiconductor substrate. The III-N integrated RF front-end circuit is to be coupled to an antenna.
(FR) L'invention concerne un appareil, une puce de circuit intégré et un procédé de fabrication d'un circuit frontal RF intégré à nitrure du groupe III (III-N). L'appareil comprend un circuit frontal radiofréquence (RF) intégré III-N qui comprend un substrat semi-conducteur, une pluralité de blocs fonctionnels, chacun de la pluralité de blocs fonctionnels comprenant une structure III-N sur le substrat semi-conducteur. Le circuit frontal RF intégré III-N doit être couplé à une antenne.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)