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1. (WO2018139770) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET BOÎTIER DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/139770 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/015516
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 27.12.2017
CIB :
H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
60
Éléments réfléchissants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 98, Huam-ro Jung-gu Seoul 04637, KR
Inventeurs :
최병연 CHOI, Byung Yeon; KR
이창형 LEE, Chang Hyeong; KR
황성민 HWANG, Sung Min; KR
Mandataire :
김기문 KIM, Ki Moon; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-001280426.01.2017KR
10-2017-003609722.03.2017KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET BOÎTIER DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지
Abrégé :
(EN) A semiconductor device according to an embodiment may comprise: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer; a first bonding pad disposed on the light emitting structure and electrically connected to the first conductive semiconductor layer; a second bonding pad disposed on the light emitting structure, spaced apart from the first bonding pad, and electrically connected to the second conductive semiconductor layer; and a reflective layer disposed on the light emitting structure and interposed between the first and second bonding pads. In the semiconductor device according to the embodiment, the first bonding pad and the second bonding pad may each comprise a porous metal layer including a plurality of pores, and a bonding alloy layer disposed on the porous metal layer.
(FR) Un dispositif à semi-conducteur selon un mode de réalisation peut comprendre : une structure électroluminescente comprenant une première couche semi-conductrice conductrice et une seconde couche semi-conductrice conductrice ; un premier plot de connexion disposé sur la structure électroluminescente et connecté électriquement à la première couche semi-conductrice conductrice ; un second plot de connexion disposé sur la structure électroluminescente, espacé du premier plot de connexion, et électriquement connecté à la seconde couche semi-conductrice conductrice ; et une couche réfléchissante disposée sur la structure électroluminescente et intercalée entre les premier et second plots de connexion. Dans le dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation, le premier plot de connexion et le second plot de connexion peuvent chacun comprendre une couche métallique poreuse comprenant une pluralité de pores, et une couche d'alliage de liaison disposée sur la couche métallique poreuse.
(KO) 실시 예에 따른 반도체 소자는, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 발광구조물 위에 배치되며, 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 본딩패드; 발광구조물 위에 배치되며, 제1 본딩패드와 이격되어 배치되고, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 본딩패드; 발광구조물 위에 배치되며, 제1 본딩패드와 제2 본딩패드 사이에 배치된 반사층; 을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 반도체 소자에 의하면, 제1 본딩패드와 제2 본딩패드 각각은, 복수의 기공을 포함하는 다공성 금속층과, 다공성 금속층 위에 배치된 본딩 합금층을 포함할 수 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)