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1. (WO2018137337) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE DE TYPE À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/137337 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/097846
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 17.08.2017
CIB :
H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
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ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
厦门三安光电有限公司 XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省厦门市 同安区洪塘镇民安大道841-899号 No. 841-899, Min An Road Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventeurs :
钟志白 ZHONG, Zhibai; CN
郑锦坚 ZHENG, Jinjian; CN
杨力勋 YANG, Lixun; CN
李佳恩 LEE, Chia-en; CN
徐宸科 HSU, Chen-ke; CN
康俊勇 KANG, Junyong; CN
Données relatives à la priorité :
201710057326.126.01.2017CN
Titre (EN) THIN-FILM TYPE LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE DE TYPE À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 薄膜型发光二极管及其制作方法
Abrégé :
(EN) A thin-film type light-emitting diode and a manufacturing method therefor. Epitaxial growth is executed by using a graphical substrate; the tip of the graphical substrate is broken from a substrate body and is kept at an epitaxial layer during the substrate stripping process of a chip manufacturing procedure, so that sapphire microlenses (112) are formed on a light-exiting surface of a light-emitting epitaxial lamination layer (200). The thin-film type light-emitting diode comprises the light-emitting epitaxial lamination layer including a first type of semiconductor layer, a light emitting layer (220), and a second type of semiconductor layer; and a series of microlenses formed by the transparent growth substrate is formed on the surface of the light-emitting epitaxial lamination layer.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente de type à couche mince et son procédé de fabrication. La croissance épitaxiale est exécutée à l'aide d'un substrat graphique; la pointe du substrat graphique est rompue à partir d'un corps de substrat et est maintenue au niveau d'une couche épitaxiale pendant le processus de décapage de substrat d'une procédure de fabrication de puce, de telle sorte que des microlentilles en saphir (112) sont formées sur une surface de sortie de lumière d'une couche de stratification épitaxiale électroluminescente (200). La diode électroluminescente de type à couche mince comprend la couche de stratification épitaxiale électroluminescente comprenant un premier type de couche semiconductrice, une couche électroluminescente (220), et un second type de couche semiconductrice; et une série de microlentilles formées par le substrat de croissance transparent est formée sur la surface de la couche de stratification épitaxiale électroluminescente.
(ZH) 一种薄膜型发光二极管及其制作方法,其采用图形化衬底进行外延生长,然后进行芯片制程中在衬底剥离过程中,使衬底图形的尖端从其衬底主体上断裂并保留在外延层上,从而在发光外延叠层(200)的出光面上形成蓝宝石微透镜(112)。该薄膜型发光二极管包括发光外延叠层,该发光外延叠层包含第一类型半导体层、发光层(220)和第二类型半导体层,其表面设有一系列由透明生长衬底构成的微透镜。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)