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1. (WO2018124366) PROCÉDÉ DE SÉPARATION D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE AU MOYEN D'UN MOTIF DE FISSURE
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N° de publication : WO/2018/124366 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/000636
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 19.01.2017
CIB :
H01L 21/78 (2006.01) ,H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
(재)한국나노기술원 KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER [KR/KR]; 경기도 수원시 영통구 광교로 109 (이의동) (lui-dong) 109, Gwanggyo-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16229, KR
Inventeurs :
오세웅 OH, Sewoung; KR
신찬수 SHIN, Chan Soo; KR
최재혁 CHOI, Je Hyuk; KR
이규범 LEE, Gyu Beom; KR
박원규 PARK, Won Kyu; KR
이태영 LEE, Tae Young; KR
Mandataire :
이준성 LEE, Joon Sung; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-018421730.12.2016KR
Titre (EN) METHOD FOR SEPARATING EPITAXIAL LAYER BY USING CRACK PATTERN
(FR) PROCÉDÉ DE SÉPARATION D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE AU MOYEN D'UN MOTIF DE FISSURE
(KO) 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for separating an epitaxial layer of a heterogeneous material from a semiconductor substrate and the subject matter of the present invention is a method for separating an epitaxial layer by using a crack pattern, the method comprising: a first step for forming a pattern for determining a crack array of an epitaxial layer on a semiconductor substrate; a second step for growing the epitaxial layer on the semiconductor substrate having the pattern; a third step for forming a crack array on the epitaxial layer in correspondence with the pattern; and a fourth step for allowing an etching solution to permeate into the crack array of the epitaxial layer, forming a fluid channel for providing a path, through which an etching solution can permeate into the epitaxial layer, along the crack array, and separating the epitaxial layer from the semiconductor substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de séparation d'une couche épitaxiale d'un matériau hétérogène d'un substrat semi-conducteur et l'objet de la présente invention concerne un procédé de séparation d'une couche épitaxiale au moyen d'un motif de fissure, le procédé comprenant : une première étape consistant à former un motif destiné à déterminer un ensemble de fissures d'une couche épitaxiale sur un substrat semi-conducteur ; une deuxième étape consistant à faire croître la couche épitaxiale sur le substrat semi-conducteur ayant le motif ; une troisième étape consistant à former un ensemble de fissures sur la couche épitaxiale en correspondance avec le motif ; et une quatrième étape consistant à faire pénétrer une solution de gravure dans l'ensemble de fissures de la couche épitaxiale, à former un canal de fluide destiné à fournir un trajet permettant à la solution de gravure de pénétrer dans la couche épitaxiale le long de l'ensemble de fissures et à séparer la couche épitaxiale du substrat semi-conducteur.
(KO) 본 발명은 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하기 위한 것으로서, 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피층의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피층을 성장시키는 제2단계와, 상기 패턴에 대응하여 상기 에피층에 갈라짐 배열을 형성시키는 제3단계 및 상기 에피층의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 상기 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법을 기술적 요지로 한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)