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1. (WO2018123905) PANNEAU D'IMAGERIE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2018/123905 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/046234
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 22.12.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs : MISAKI Katsunori; --
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; JP
MATSUYAMA Takao; JP
Données relatives à la priorité :
2016-25441527.12.2016JP
Titre (EN) IMAGING PANEL AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided are: an x-ray imaging panel that achieves improved producibility; and a production method for the same. An imaging panel 1 generates an image on the basis of scintillation light obtained from x-rays that have passed through a subject. The imaging panel 1 has, on a substrate 101, an active region and a terminal region. The active region comprises: a thin film transistor; a first insulating film that is provided above the thin film transistor; a photoelectric conversion element that is provided above the first insulating film; a second insulating film that is disposed, apart, in an upper layer of the photoelectric conversion element and has a contact hole; and a conductive film that is connected to the photoelectric conversion element via the contact hole. The photoelectric conversion element includes a photoelectric conversion layer that includes a first semiconductor layer, an intrinsic amorphous semiconductor layer, and a second semiconductor layer. The terminal region comprises: a first conductive layer 100 that is formed from the same material as a gate electrode or a source electrode for the thin film transistor; a terminal first insulating film 103 that is formed from the same material as the first insulating film, is provided, apart, above a portion of the first conductive layer 110, and has an opening; a terminal semiconductor layer 1501 that is provided above the terminal first insulating layer 103 and is formed from the same material as at least one portion of the semiconductor layers of the photoelectric conversion layer; and a second conductive layer 1702 that is provided above the terminal semiconductor layer 1501, is formed from the same material as the conductive film, and is connected to the first conductive layer 100 at the opening in the terminal first insulating film 103.
(FR) L'invention concerne : un panneau d'imagerie à rayons X qui permet d'obtenir une productibilité améliorée ; et son procédé de production. Un panneau d'imagerie 1 génère une image sur la base d'une lumière de scintillation acquise à partir de rayons X qui ont traversé un objet. Le panneau d'imagerie 1 comporte, sur un substrat 101, une région active et une région de borne. La région active comprend : un transistor à couches minces ; un premier film isolant qui est disposé au-dessus du transistor à couches minces ; un élément de conversion photoélectrique qui est disposé au-dessus du premier film isolant ; un second film isolant qui est disposé, à distance, dans une couche supérieure de l'élément de conversion photoélectrique et comporte un trou de contact ; et un film conducteur qui est connecté à l'élément de conversion photoélectrique par l'intermédiaire du trou de contact. L'élément de conversion photoélectrique comprend une couche de conversion photoélectrique qui comprend une première couche semi-conductrice, une couche semi-conductrice amorphe intrinsèque et une seconde couche semi-conductrice. La région de borne comprend : une première couche conductrice 100 qui est constituée du même matériau qu'une électrode de grille ou qu'une électrode de source pour le transistor à couches minces ; un premier film isolant de borne 103 qui est constitué du même matériau que le premier film isolant, est disposé, à distance, au-dessus d'une partie de la première couche conductrice 110, et a une ouverture ; une couche semi-conductrice de borne 1501 qui est disposée au-dessus de la première couche isolante de borne 103 et est constituée du même matériau qu'au moins une partie des couches semi-conductrices de la couche de conversion photoélectrique ; et une seconde couche conductrice 1702 qui est disposée au-dessus de la couche semi-conductrice de borne 1501, est constituée du même matériau que le film conducteur, et est connectée à la première couche conductrice 100 au niveau de l'ouverture dans le premier film isolant de borne 103.
(JA) 生産性を向上させ得るX線撮像パネル及びその製造方法を提供すること。撮像パネル1は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する。撮像パネル1は、基板101上にアクティブ領域と端子領域とを有する。アクティブ領域には、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上に設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の上に設けられた光電変換素子と、光電変換素子の上層に離間して配置され、コンタクトホールを有する第2の絶縁膜と、コンタクトホールを介して前記光電変換素子と接続された導電膜とを備える。光電変換素子は、第1の半導体層と、真性非晶質半導体層と、第2の半導体層とを含む光電変換層を含む。端子領域は、薄膜トランジスタのゲート電極又はソース電極と同じ材料で構成された第1の導電層100と、第1の絶縁膜と同じ材料で構成され、第1の導電層110の一部の上で離間して設けられ、開口を有する端子用第1絶縁膜103と、端子用第1絶縁膜103の上に設けられ、光電変換層の少なくとも一部の半導体層と同じ材料で構成された端子用半導体層1501と、端子用半導体層1501の上に設けられ、前記導電膜と同じ材料で構成され、端子用第1絶縁膜103の開口において第1の導電層100と接続された第2の導電層1702とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)