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1. (WO2018112463) PROCÉDÉ CONÇU POUR PERMETTRE UN TRAITEMENT À HAUTE TEMPÉRATURE SANS MIGRATION DE CHAMBRE
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N° de publication : WO/2018/112463 N° de la demande internationale : PCT/US2017/067040
Date de publication : 21.06.2018 Date de dépôt international : 18.12.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : TSIANG, Michael Wenyoung; US
JHA, Praket P.; US
PADHI, Deenesh; US
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; US
DOUGHERTY, Chad M.; US
Données relatives à la priorité :
62/435,52516.12.2016US
Titre (EN) METHOD TO ENABLE HIGH TEMPERATURE PROCESSING WITHOUT CHAMBER DRIFTING
(FR) PROCÉDÉ CONÇU POUR PERMETTRE UN TRAITEMENT À HAUTE TEMPÉRATURE SANS MIGRATION DE CHAMBRE
Abrégé : front page image
(EN) Implementations of the present disclosure provide methods for processing substrates in a processing chamber. In one implementation, the method includes (a) depositing a dielectric layer on a first substrate at a first chamber pressure using a first high-frequency RF power, (b) depositing sequentially a dielectric layer on N substrates subsequent to the first substrate at a second chamber pressure, wherein N is an integral number of 5 to 10, and wherein depositing each substrate of N substrates comprises using a second high-frequency RF power that has a power density of about 0.21 W/cm2 to about 0.35 W/cm2 lower than that of the first high-frequency RF power, (c) performing a chamber cleaning process without the presence of a substrate, and (d) repeating (a) to (c).
(FR) Certains modes de réalisation de la présente invention concernent des procédés de traitement de substrats dans une chambre de traitement. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend (a) le dépôt d'une couche diélectrique sur un premier substrat à une première pression de chambre à l'aide d'une première puissance RF haute fréquence, (b) le dépôt séquentiel d'une couche diélectrique sur N substrats suivant le premier substrat à une seconde pression de chambre, N étant un nombre entier de 5 à 10, le dépôt de chaque substrat des N substrats comprenant l'utilisation d'une seconde puissance RF haute fréquence qui a une densité de puissance d'environ 0,21 W/cm2 à environ 0,35W2 inférieure à celle de la première puissance RF haute fréquence, (c) la réalisation d'un processus de nettoyage de chambre sans la présence d'un substrat, et (d) la répétition des étapes (a) à (c).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)