WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018087794) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À HAUT RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET CELLULE SOLAIRE À HAUT RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/087794    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/004875
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 14.11.2016
CIB :
H01L 31/068 (2012.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : HASHIGAMI, Hiroshi; (JP).
WATABE, Takenori; (JP).
OHTSUKA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP).
KOBAYASHI, Toshihiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PHOTOELECTRIC-CONVERSION-EFFICIENCY SOLAR CELL AND HIGH-PHOTOELECTRIC-CONVERSION-EFFICIENCY SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À HAUT RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET CELLULE SOLAIRE À HAUT RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 高光電変換効率太陽電池の製造方法及び高光電変換効率太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a method for manufacturing a solar cell in which a monocrystalline silicon solar cell is manufactured using a monocrystalline silicon substrate, wherein: the method for manufacturing a solar cell includes a high-temperature thermal treatment process for thermally treating the monocrystalline silicon substrate at 800-1200°C; the high-temperature thermal treatment process has a transportation step for loading the monocrystalline silicon substrate into a thermal treatment device, a heating step for heating the monocrystalline silicon substrate, a temperature maintaining step for maintaining the monocrystalline silicon substrate at a prescribed temperature of 800-1200°C, and a cooling step for cooling the monocrystalline silicon substrate; and in the high-temperature thermal treatment process, the temperature of the monocrystalline silicon substrate is kept at 400-650°C for no longer than five minutes through the transportation step and the heating step. Provided thereby is a method for manufacturing a solar cell that makes it possible to manufacture a solar cell having a high photoelectric conversion efficiency and having uniform properties in the substrate plane.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire dans lequel une cellule solaire de silicium monocristallin est fabriquée à l'aide d'un substrat de silicium monocristallin : le procédé de fabrication d'une cellule solaire comprenant un procédé de traitement thermique à haute température destiné à traiter thermiquement le substrat de silicium monocristallin à une température de 800 à 1 200 °C ; le procédé de traitement thermique à haute température comprenant une étape de transport consistant à charger le substrat de silicium monocristallin dans un dispositif de traitement thermique, une étape de chauffage consistant à chauffer le substrat de silicium monocristallin, une étape de maintien de température consistant à maintenir le substrat de silicium monocristallin à une température prescrite de 800 à 1200 °C, et une étape de refroidissement consistant à refroidir le substrat de silicium monocristallin ; et dans le procédé de traitement thermique à haute température, la température du substrat de silicium monocristallin étant maintenue à une température de 400 à 650 °C pendant tout au plus cinq minutes lors de l'étape de transport et de l'étape de chauffage. L'invention concerne donc un procédé de fabrication d'une cellule solaire qui permet de fabriquer une cellule solaire ayant un haut rendement de conversion photoélectrique et ayant des propriétés uniformes dans le plan de substrat.
(JA)本発明は、単結晶シリコン基板を用いて、単結晶シリコン太陽電池を製造する太陽電池の製造方法であって、単結晶シリコン基板を800℃以上1200℃以下で熱処理する高温熱処理工程を含み、該高温熱処理工程は、単結晶シリコン基板を熱処理装置に装填する搬送ステップと、単結晶シリコン基板を加熱する加熱ステップと、単結晶シリコン基板を800℃以上1200℃以下の所定の温度に保つ保温ステップと、単結晶シリコン基板を冷却する冷却ステップとを有し、高温熱処理工程において、搬送ステップ及び加熱ステップを通して単結晶シリコン基板の温度が400℃以上650℃以下となる時間を5分以内とする太陽電池の製造方法である。これにより、光電変換効率が高く基板面内で特性が均一である太陽電池を製造することができる太陽電池の製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)