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1. (WO2018083722) CELLULE SOLAIRE À EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/083722 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/004824
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 07.11.2016
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD.[JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs : HASHIGAMI, Hiroshi; JP
WATABE, Takenori; JP
OHTSUKA, Hiroyuki; JP
MITTA, Ryo; JP
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; JP
KOBAYASHI, Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLAR CELL WITH HIGH PHOTOELECTRIC CONVERSION EFFICIENCY AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL WITH HIGH PHOTOELECTRIC CONVERSION EFFICIENCY
(FR) CELLULE SOLAIRE À EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) The present invention provides a backside contact solar cell, in which a p-type region and an n-type region that are disposed on a first principal surface of a crystalline silicon substrate, the p-type region having a p-type conductive-type, and the n-type region having an n-type conductive-type and having a maximum concentration of added impurities that imparts the n-type conductive type in the substrate depth direction of 5 × 1018 atoms/cm3 or more, and in which a first passivation film is disposed so as to cover the p-type region and the n-type region, and a second passivation film is disposed on a second principal surface that is located on the opposite side of the first principal surface so as to cover the second principal surface, said solar cell being configured such that the first passivation film and the second passivation film are composed of a compound containing aluminium oxide. This constitution enables to provide a solar cell which reduces cost and can achieve high photoelectric conversion efficiency.
(FR) L’invention concerne une cellule solaire de type à électrode arrière dans laquelle une région de type p possédant une conductivité de type p, et une région de type n possédant une conductivité de type n, et présentant une concentration maximale en impuretés additionnelles conférant la conductivité de type n dans une direction profondeur de substrat supérieure ou égale à 5×1018atoms/cm, sont disposées sur une première surface principale d’un substrat de silicium cristallin. Un premier film de passivation est disposé de manière à recouvrir la région de type p et la région de type n. Un second film de passivation est disposé sur une seconde surface principale consistant en une surface côté opposé à la première surface principale, de manière à recouvrir cette seconde surface principale. Dans cette cellule solaire, le premier et le second film de passivation sont constitués d’un composé contenant un oxyde d’aluminium. Ainsi, l’invention fournit une cellule solaire bon marché, et présentant une efficacité de conversion photoélectrique élevée.
(JA) 本発明は、結晶シリコン基板の第1主表面に、p型の導電型を有するp型領域と、n型の導電型を有しn型の導電型を付与する添加不純物の基板深さ方向における最大濃度が5×1018atoms/cm以上であるn型領域とが配置され、p型領域とn型領域を覆うように第1パッシベーション膜が配置され、第1主表面の反対側の表面である第2主表面に、第2主表面を覆うように第2パッシベーション膜が配置された裏面電極型太陽電池であって、第1パッシベーション膜と第2パッシベーション膜が酸化アルミニウムを含む化合物からなる太陽電池である。これにより、安価かつ光電変換効率が高い太陽電池が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)