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1. (WO2018083480) PERFECTIONNEMENTS APPORTÉS AU DÉPÔT ET À LA FORMATION DE REVÊTEMENTS POUR CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES
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N° de publication : WO/2018/083480 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/053305
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 02.11.2017
CIB :
H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/073 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
073
comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIBVI, p.ex. cellules solaires en CdS/CdTe
Déposants :
LOUGHBOROUGH UNIVERSITY [GB/GB]; Ashby Road Loughborough Leicestershire LE11 3TU, GB
Inventeurs :
ABBAS, Ali; GB
BITTAU, Francesco; GB
GREENHALGH, Rachael; GB
KAMINSKI, Piotr; GB
LISCO, Fabiana; GB
WALLS, John Michael; GB
YILMAZ, Sibel; GB
Mandataire :
BAILEY WALSH & CO LLP; 1 York Place Leeds Yorkshire LS1 2DR, GB
Données relatives à la priorité :
1618474.902.11.2016GB
Titre (EN) IMPROVEMENTS TO THE DEPOSITION AND FORMATION OF COATINGS FOR PHOTOVOLTAIC CELLS
(FR) PERFECTIONNEMENTS APPORTÉS AU DÉPÔT ET À LA FORMATION DE REVÊTEMENTS POUR CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES
Abrégé :
(EN) The invention relates to the formation of a photovoltaic or solar cell device and in particular to a coating formed on a surface of the same. The device incorporates a substrate formed by a glass base on which there is provided a transparent conductive coating (TCO). Onto a surface of the substrate or this coating there is, in accordance with the invention in one embodiment, sputter deposited a layer of CdS followed by the sputter deposition of a layer including CdTe. A back contact layer can be applied as a final layer. The CdS layer acts as the n-type layer while the CdTe containing layer acts as the p-type layer of the device. The cross section of the photovoltaic cell, and the layers provided, can be altered to suit specific requirements. For example, a buffer layer of Sn02 or ZnO can be applied onto the TCO prior to the CdS coating to improve device performance.
(FR) L'invention concerne la formation d'un dispositif de cellule photovoltaïque ou solaire et en particulier un revêtement formé sur une surface de celui-ci. Le dispositif incorpore un substrat constitué d'une base en verre sur laquelle est disposé un revêtement conducteur transparent (TCO). Sur une surface du substrat ou de ce revêtement se trouve, conformément à l'invention, selon un mode de réalisation, le dépôt par pulvérisation d'une couche de CdS suivi par le dépôt par pulvérisation d'une couche comprenant du CdTe. Une couche de contact arrière peut être appliquée sous la forme d'une couche finale. La couche de CdS sert de couche de type n tandis que la couche contenant du CdTe agit en tant que couche de type p du dispositif. La section transversale de la cellule photovoltaïque, et des couches fournies, peut être modifiée pour s'adapter à des exigences spécifiques. Par exemple, une couche tampon de Sn02 ou de ZnO peut être appliquée sur le TCO avant le revêtement de CdS pour améliorer les performances du dispositif.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)