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1. (WO2018078666) CELLULE SOLAIRE À EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE À EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE
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N° de publication :    WO/2018/078666    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/004689
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 25.10.2016
CIB :
H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : WATABE, Takenori; (JP).
HASHIGAMI, Hiroshi; (JP).
OHTSUKA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP).
KOBAYASHI, Toshihiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH PHOTOELECTRIC CONVERSION EFFICIENCY SOLAR-CELL AND MANUFACTURING METHOD FOR HIGH PHOTOELECTRIC CONVERSION EFFICIENCY SOLAR-CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE À EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE À EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE
(JA) 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a solar cell manufacturing method which includes: a step for forming recesses and protrusions on both primary surfaces of a semiconductor substrate having a first conductivity type; a step for forming an emitter layer on a first primary surface of the semiconductor substrate; a step for forming a diffusion mask on the emitter layer; a step for removing portions of the diffusion mask in a pattern shape; a step for forming a base layer on locations where the diffusion mask was removed; a step for removing the remaining portions of the diffusion mask; a step for forming a dielectric film on the first primary surface; a step for forming a base electrode on the base layer; and a step for forming an emitter electrode on the emitter layer. Due to this configuration, a manufacturing method for a solar cell having a high photoelectric conversion efficiency is provided, the method having a reduced number of steps.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellule solaire qui comprend les étapes suivantes : la formation de creux et de saillies sur les deux surfaces primaires d'un substrat semi-conducteur ayant un premier type de conductivité ; la formation d'une couche d'émetteur sur une première surface primaire du substrat semi-conducteur ; la formation d'un masque de diffusion sur la couche d'émetteur ; l'élimination des parties du masque de diffusion selon une forme de motif ; la formation d'une couche de base sur des emplacements où le masque de diffusion a été éliminé ; l'élimination des parties restantes du masque de diffusion ; la formation d'un film diélectrique sur la première surface primaire ; la formation d'une électrode de base sur la couche de base ; la formation d'une électrode d'émetteur sur la couche d'émetteur. Grâce à cette configuration, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire ayant une efficacité de conversion photoélectrique élevée, ce procédé ayant un nombre réduit d'étapes.
(JA)本発明は、第一導電型を有する半導体基板の両主表面に凹凸を形成する工程、半導体基板の第一主表面に、エミッタ層を形成する工程、エミッタ層上に拡散マスクを形成する工程、拡散マスクをパターン状に除去する工程、拡散マスクを除去した箇所に、ベース層を形成する工程、残存させた拡散マスクを除去する工程、第一主表面上に誘電体膜を形成する工程、ベース層上にベース電極を形成する工程、エミッタ層上にエミッタ電極を形成する工程を有する太陽電池の製造方法である。これにより、工数を削減しつつも高い光電変換効率を示す太陽電池の製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)