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1. (WO2018067299) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILMS DE NITRURE DE SILICIUM ALD EXEMPTS DE MÉTAUX À L'AIDE DE PRÉCURSEURS À BASE D'HALOGÉNURE
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N° de publication :    WO/2018/067299    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/052138
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 19.09.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538 (US)
Inventeurs : SIMS, James S.; (US).
HENRI, Jon; (US).
CHANDRASEKHARAN, Ramesh; (US).
MCKERROW, Andrew John; (US).
VARADARAJAN, Seshasayee; (US).
KELCHNER, Kathryn Merced; (US)
Mandataire : SKIFF, Peter K.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/287,176 06.10.2016 US
Titre (EN) METHOD FOR DEPOSITING METALS FREE ALD SILICON NITRIDE FILMS USING HALIDE-BASED PRECURSORS
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILMS DE NITRURE DE SILICIUM ALD EXEMPTS DE MÉTAUX À L'AIDE DE PRÉCURSEURS À BASE D'HALOGÉNURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of depositing silicon nitride films on semiconductor substrates processed in a micro-volume of a plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) reaction chamber wherein a single semiconductor substrate is supported on a ceramic surface of a pedestal and process gas is introduced through gas outlets in a ceramic surface of a showerhead into a reaction zone above the semiconductor substrate, includes (a) cleaning the ceramic surfaces of the pedestal and showerhead with a fluorine plasma, (b) depositing a halide-free atomic layer deposition (ALD) oxide undercoating on the ceramic surfaces, (c) depositing a precoating of ALD silicon nitride on the halide-free ALD oxide undercoating, and (d) processing a batch of semiconductor substrates by transferring each semiconductor substrate into the reaction chamber and depositing a film of ALD silicon nitride on the semiconductor substrate supported on the ceramic surface of the pedestal.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt de films de nitrure de silicium sur des substrats semi-conducteurs traités dans un micro-volume d'une chambre de réaction de dépôt de couche atomique assisté par plasma (PEALD) dans laquelle un seul substrat semi-conducteur est supporté sur une surface en céramique d'un socle et un gaz de traitement est introduit à travers des sorties de gaz dans une surface en céramique d'une pomme de douche dans une zone de réaction au-dessus du substrat semi-conducteur, lequel procédé consiste (a) à nettoyer les surfaces en céramique du socle et de la pomme de douche avec un plasma de fluor, (b) à déposer une sous-couche d'oxyde de dépôt de couche atomique (ALD) exempte d'halogénure sur les surfaces en céramique, (c) à déposer un pré-revêtement de nitrure de silicium ALD sur la sous-couche d'oxyde ALD exempte d'halogénure, et (d) à traiter un lot de substrats semi-conducteurs par transfert de chaque substrat semi-conducteur dans la chambre de réaction et par dépôt d'un film de nitrure de silicium ALD sur le substrat semi-conducteur supporté sur la surface en céramique du socle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)