Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018066752) CAPTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/066752 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/013369
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 18.11.2016
CIB :
G01N 27/414 (2006.01) ,G01N 25/32 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403
Ensembles de cellules et d'électrodes
414
Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
25
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens thermiques
20
en recherchant la production de quantités de chaleur, c. à d. la calorimétrie, p.ex. en mesurant la chaleur spécifique, en mesurant la conductivité thermique
22
sur l'oxydation par combustion ou par catalyse, p.ex. des constituants des mélanges gazeux
28
l'élévation de température des gaz résultant de la combustion étant mesurée directement
30
Utilisation des éléments électriques réagissant à la chaleur
32
Utilisation d'éléments thermo-électriques
Déposants :
엘지전자(주) LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul 07336, KR
Inventeurs :
황인성 HWANG, Insung; KR
이병기 LEE, Byungkee; KR
장연국 JANG, Yunguk; KR
김선중 KIM, Sunjung; KR
Mandataire :
특허법인 로얄 ROYAL PATENT & LAW OFFICE; 서울시 관악구 남부순환로 2072, 도원회관 빌딩 1층 1F., Dowon Bldg., 2072 Nambusunhwan-no, Gwanak-gu, Seoul 08806, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-012920006.10.2016KR
Titre (EN) SENSOR
(FR) CAPTEUR
(KO) 센서
Abrégé :
(EN) A sensor is disclosed. The sensor according to one embodiment of the present invention comprises: a substrate; a first electrode pattern forming a layer and disposed on one surface of the substrate; a second electrode pattern forming a layer and disposed on the one surface of the substrate, and separated from the first electrode pattern; a sensing layer located on the one surface of the substrate, covering the first electrode pattern and the second electrode pattern, and including a semiconductor; a protective layer located on the one surface of the substrate, covering at least a portion of the sensing layer, and including a material different from that of the sensing layer; a first electrode pad forming a layer and disposed on the one surface of the substrate, and electrically connected to the first electrode pattern; a second electrode pad forming a layer and disposed on the one surface of the substrate, and electrically connected to the second electrode pattern; and a housing accommodating the substrate and including a filter spaced apart from the substrate, wherein the substrate can include an opening part formed adjacent to outer boundaries of the first and second electrode patterns.
(FR) La présente invention concerne un capteur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le capteur comprend : un substrat ; un premier motif d'électrode formant une couche et disposé sur une surface du substrat ; un second motif d'électrode formant une couche et disposé sur ladite surface du substrat, et séparé du premier motif d'électrode ; une couche de détection située sur ladite surface du substrat, recouvrant le premier motif d'électrode et le second motif d'électrode, et comprenant un semi-conducteur ; une couche de protection située sur ladite surface du substrat, recouvrant au moins une partie de la couche de détection, et comprenant un matériau différent de celui de la couche de détection ; un premier plot d'électrode formant une couche et disposé sur ladite surface du substrat, et connecté électriquement au premier motif d'électrode ; un second plot d'électrode formant une couche et disposé sur ladite surface du substrat, et connecté électriquement au second motif d'électrode ; et un boîtier accueillant le substrat et comprenant un filtre espacé du substrat, le substrat pouvant comprendre une partie ouverture formée adjacente aux limites extérieures des premier et second motifs d'électrode.
(KO) 센서가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 센서는, 기판; 상기 기판의 일 면에 층을 형성하며 배치되는 제1 전극패턴; 상기 기판의 상기 일 면에 층을 형성하며 배치되고 상기 제1 전극패턴과 분리된 제2 전극패턴; 상기 기판의 상기 일 면에 위치하고 상기 제1 전극패턴과 상기 제2 전극패턴을 덮으며 반도체를 함유하는 감지층; 상기 기판의 상기 일 면에 위치하고 상기 감지층의 적어도 일부를 덮으며, 상기 감지층과 다른 소재를 함유하는 보호층; 상기 기판의 상기 일 면에 층을 형성하며 배치되고 상기 제1 전극패턴에 전기적으로 연결된 제1 전극패드; 상기 기판의 상기 일 면에 층을 형성하며 배치되고 상기 제2 전극패턴에 전기적으로 연결된 제2 전극패드; 그리고 상기 기판을 수용하고, 상기 기판에 이격된 필터를 구비하는 하우징을 포함하고, 상기 기판은, 상기 제1, 2 전극패턴의 외측 경계에 인접하여 형성된 개구부를 구비할 수 있다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)