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1. (WO2018066173) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE CARBURE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2018/066173    International Application No.:    PCT/JP2017/020887
Publication Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jun 06 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/205
C23C 16/42
C30B 25/20
C30B 29/36
H01L 21/20
H01L 21/336
H01L 29/12
H01L 29/78
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: HORI, Tsutomu
堀 勉
Title: SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE CARBURE DE SILICIUM
Abstract:
L'invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium qui comprend : un substrat monocristallin de carbure de silicium qui a une surface principale inclinée à plus de 0° et à ou moins de 8º par rapport au plan {0001}, et qui a un diamètre de 100 mm ou plus; une couche épitaxiale de carbure de silicium qui est formée sur la surface principale et a une épaisseur de 20 µm ou plus; et une dislocation de plan de base qui est contenue dans la couche épitaxiale de carbure de silicium, une extrémité de la dislocation de plan de base étant connectée à une dislocation de vis de filetage contenue dans la couche épitaxiale de carbure de silicium, tandis que l'autre extrémité de la dislocation de plan de base se situe sur la surface de la couche épitaxiale de carbure de silicium. La dislocation de plan de base s'étend dans une direction qui est inclinée à 20 à 80° compris dans la direction <11-20> sur le plan de base {0001}. La densité de la dislocation du plan de base est de 0,05/cm2 ou moins.