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1. (WO2018066016) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE AYANT UNE EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE, ET CELLULE SOLAIRE AYANT UNE EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE
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N° de publication :    WO/2018/066016    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/004492
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 05.10.2016
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : WATABE, Takenori; (JP).
HASHIGAMI, Hiroshi; (JP).
OHTSUKA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP).
KOBAYASHI, Toshihiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL HAVING HIGH PHOTOELECTRIC CONVERSION EFFICIENCY, AND SOLAR CELL HAVING HIGH PHOTOELECTRIC CONVERSION EFFICIENCY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE AYANT UNE EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE, ET CELLULE SOLAIRE AYANT UNE EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉE
(JA) 高光電変換効率太陽電池の製造方法及び高光電変換効率太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a solar cell manufacturing method characterized by having: a step for preparing a semiconductor silicon substrate, which has an electrode that is formed at least on one main surface by firing an electrode precursor, and which has a PN junction, said semiconductor silicon substrate being at a temperature below 100°C; and a step for annealing the semiconductor silicon substrate at a temperature not below 100°C but not above 450°C. Consequently, the method for manufacturing the solar cell wherein a deterioration phenomenon is suppressed is provided, said deterioration phenomenon being the phenomenon where solar cell output deteriorates when the solar cell is left as it is at a room temperature in the air.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de cellule solaire caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de préparation d'un substrat de silicium semi-conducteur, qui a une électrode qui est formée au moins sur une surface principale par cuisson d'un précurseur d'électrode, et qui présente une jonction PN, ledit substrat de silicium semi-conducteur étant à une température inférieure à 100 °C; et une étape de recuit du substrat de silicium semi-conducteur à une température pas inférieur à 100 °C mais pas supérieure à 450 °C par conséquent, le procédé de fabrication de la cellule solaire dans lequel un phénomène de détérioration est supprimé est décrit, ledit phénomène de détérioration étant le phénomène où la sortie de cellule solaire se détériore lorsque la cellule solaire est laissée telle qu'elle est à une température ambiante dans l'air.
(JA)本発明は、少なくとも一方の主表面上に電極前駆体を焼成することにより形成された電極を有し、PN接合を有する100℃未満の半導体シリコン基板を準備する工程と、前記半導体シリコン基板を100℃以上450℃以下でアニール処理する工程とを有することを特徴とする太陽電池の製造方法である。これにより、室温・大気中に放置しておくだけで太陽電池の出力が低下するという劣化現象が抑制された太陽電池を製造する方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)