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1. (WO2018063825) DÉPÔT À BASE DE PLASMA À DISTANCE DE FILM DE CARBURE DE SILICIUM À GRADIENT OU MULTICOUCHE
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N° de publication : WO/2018/063825 N° de la demande internationale : PCT/US2017/051794
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 15.09.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538, US
Inventeurs :
VARADARAJAN, Bhadri N.; US
GONG, Bo; US
YUAN, Guangbi; US
GUI, Zhe; US
LAI, Fengyuan; US
Mandataire :
HO, Michael T.; US
WEAVER, Jeffrey K.; US
AUSTIN, James E.; US
VILLENEUVE, Joseph M.; US
SAMPSON, Roger S.; US
GRIFFITH, John F.; US
BERGIN, Denise S.; US
SCHOLZ, Christian D.; US
Données relatives à la priorité :
15/283,15930.09.2016US
Titre (EN) REMOTE PLASMA BASED DEPOSITION OF GRADED OR MULTI-LAYERED SILICON CARBIDE FILM
(FR) DÉPÔT À BASE DE PLASMA À DISTANCE DE FILM DE CARBURE DE SILICIUM À GRADIENT OU MULTICOUCHE
Abrégé :
(EN) Provided are methods and apparatuses for depositing a graded or multi-layered silicon carbide film using remote plasma. A graded or multi-layered silicon carbide film can be formed under process conditions that provide one or more organosilicon precursors onto a substrate in a reaction chamber. Radicals of source gas in a substantially low energy state, such as radicals of hydrogen in the ground state, are provided from a remote plasma source into reaction chamber. In addition, co-reactant gas is flowed towards the reaction chamber. In some implementations, radicals of the co-reactant gas are provided from the remote plasma source into the reaction chamber. A flow rate of the co-reactant gas can be changed over time, incrementally or gradually, to form a multi-layered silicon carbide film or a graded silicon carbide film having a composition gradient from a first surface to a second surface of the graded silicon carbide film.
(FR) L'invention concerne des procédés et des appareils destinés à déposer un film de carbure de silicium à gradient ou multicouche à l'aide d'un plasma à distance. Un film de carbure de silicium à gradient ou multicouche peut être formé dans des conditions de traitement qui fournissent un ou plusieurs précurseurs d'organosilicium sur un substrat dans une chambre de réaction. Des radicaux de gaz source dans un état d'énergie sensiblement faible, tels que des radicaux d'hydrogène à l'état fondamental, sont fournis à partir d'une source de plasma à distance dans la chambre de réaction. De plus, un gaz co-réactif est amené à s'écouler vers la chambre de réaction. Dans certains modes de réalisation, des radicaux du gaz co-réactif sont fournis à partir de la source de plasma à distance dans la chambre de réaction. Un débit du gaz co-réactif peut être changé au cours du temps, de manière incrémentielle ou progressive, pour former un film de carbure de silicium multicouche ou un film de carbure de silicium à gradient ayant un gradient de composition d'une première surface à une seconde surface du film de carbure de silicium à gradient.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)