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1. (WO2018063397) RÉSISTANCES DE PRÉCISION À TRANCHÉE ET À GRILLE AYANT UN TRANSISTOR AU GAN À GRILLE DE REMPLACEMENT (RMG) À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ÉLEVÉE
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N° de publication : WO/2018/063397 N° de la demande internationale : PCT/US2016/055015
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 27/24 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417
transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GATE TRENCH PRECISION RESISTORS WITH HIGH-K RMG GAN TRANSISTOR
(FR) RÉSISTANCES DE PRÉCISION À TRANCHÉE ET À GRILLE AYANT UN TRANSISTOR AU GAN À GRILLE DE REMPLACEMENT (RMG) À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ÉLEVÉE
Abrégé :
(EN) Embodiments of the invention include an RF switch and methods of forming an RF switch. In an embodiment, the RF switch may include a semiconductor substrate with a GaN active device layer. The RF switch may further include a transistor region formed over the substrate and an isolation region formed over the substrate. The transistor region may include a source, a drain, and a gate electrode formed between the source and the drain. In an embodiment, the gate electrode is separated from the active device layer by a gate dielectric and a workfunction metal. The isolation region may include a resistor electrically coupled to the gate electrode by the workfunction metal. In an embodiment, the resistor is formed in the same layer as the workfunction metal. In an embodiment, a resistor mask may be formed over the resistor.
(FR) Certains modes de réalisation de l'invention portent sur un commutateur RF et sur des procédés de fabrication d'un commutateur RF. Selon un mode de réalisation, le commutateur RF peut comprendre un substrat semi-conducteur ayant une couche de dispositif actif de GaN. Le commutateur RF peut en outre comprendre une zone de transistor et une zone d'isolation formées sur le substrat. La zone de transistor peut comprendre une source, un drain et une électrode de grille formée entre la source et le drain. Selon un mode de réalisation, l'électrode de grille est séparée de la couche de dispositif actif par un diélectrique de grille et un métal à travail d'extraction. La zone d'isolation peut comprendre une résistance couplée électriquement à l'électrode de grille par l'intermédiaire du métal à travail d'extraction. Selon un mode de réalisation, la résistance est formée dans la même couche que le métal à travail d'extraction. Selon un mode de réalisation, un masque de résistance peut être formé sur la résistance.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)