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1. (WO2018063383) SUBSTRAT DE BOÎTIER ACTIF AYANT UNE COUCHE CONDUCTRICE ANISOTROPE
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N° de publication : WO/2018/063383 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054957
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : DOMINGUEZ, Juan Eduardo; US
KIM, Hyoung Il; US
Mandataire : BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ACTIVE PACKAGE SUBSTRATE HAVING ANISOTROPIC CONDUCTIVE LAYER
(FR) SUBSTRAT DE BOÎTIER ACTIF AYANT UNE COUCHE CONDUCTRICE ANISOTROPE
Abrégé : front page image
(EN) Semiconductor packages including active package substrates are described. In an example, the active package substrate includes an active die between a top substrate layer and a bottom substrate layer. The top substrate layer may include a via and the active die may include a die pad. An anisotropic conductive layer may be disposed between the via and the die pad to conduct electrical current unidirectionally between the via and the die pad. In an embodiment, the active die is a flash memory controller and a memory die is mounted on the top substrate layer and placed in electrical communication with the flash memory controller through the anisotropic conductive layer.
(FR) L'invention concerne des boîtiers à semi-conducteurs qui comprennent des substrats de boîtier actifs. Selon un exemple, le substrat de boîtier actif comprend une puce active entre des couches de substrat supérieure et inférieure. La couche de substrat supérieure peut comprendre un trou d'interconnexion et la puce active peut comprendre une pastille de connexion. Une couche conductrice anisotrope peut être disposée entre le trou d'interconnexion et la pastille de connexion afin de conduire un courant électrique de manière unidirectionnelle entre le trou d'interconnexion et la pastille de connexion. Selon un mode de réalisation, la puce active est un contrôleur de mémoire flash et une puce mémoire est montée sur la couche de substrat supérieure et placée en communication électrique avec le contrôleur de mémoire flash par l'intermédiaire de la couche conductrice anisotrope.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)