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1. (WO2018063320) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE À PONT CONDUCTEUR (CBRAM) À SOUS-COUCHE D'ÉLECTROLYTE À FAIBLE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE

Pub. No.:    WO/2018/063320    International Application No.:    PCT/US2016/054748
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 45/00
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: KARPOV, Elijah V.
KOTLYAR, Roza
MAJHI, Prashant
BIELEFELD, Jeffery D.
Title: DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE À PONT CONDUCTEUR (CBRAM) À SOUS-COUCHE D'ÉLECTROLYTE À FAIBLE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE
Abstract:
L'invention concerne des dispositifs de mémoire vive à pont conducteur (CBRAM) ayant des sous-couches d'électrolyte à faible conductivité thermique. Dans un exemple, un dispositif de mémoire vive à pont conducteur (CBRAM) comprend une interconnexion conductrice disposée dans une couche diélectrique inter-couche (ILD) disposée au-dessus d'un substrat. Le dispositif CBRAM comprend également un élément CBRAM disposé sur l'interconnexion conductrice. L'élément CBRAM comprend une couche d'électrode active disposée sur l'interconnexion conductrice, et une couche de commutation de résistance disposée sur la couche d'électrode active. La couche de commutation de résistance comprend une première couche de matériau d'électrolyte disposée sur une seconde couche de matériau d'électrolyte, la seconde couche de matériau d'électrolyte étant disposée sur la couche d'électrode active et ayant une conductivité thermique inférieure à une conductivité thermique de la première couche de matériau d'électrolyte. Une couche d'électrode passive est disposée sur le premier matériau d'électrolyte de la couche de commutation de résistance.