WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018063315) TRANSISTORS À EFFET TUNNEL COMPRENANT DES RÉGIONS DE SOURCE/DRAIN UTILISANT UNE COUCHE DE RÉDUCTION DE RÉSISTANCE DE CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063315    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054732
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : GLASS, Glenn A.; (US).
MURTHY, Anand S.; (US).
YOUNG, Ian A.; (US).
AVCI, Uygar E.; (US)
Mandataire : BRODSKY, Stephen I.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TUNNELING TRANSISTORS INCLUDING SOURCE/DRAIN REGIONS EMPLOYING CONTACT RESISTANCE REDUCING LAYER
(FR) TRANSISTORS À EFFET TUNNEL COMPRENANT DES RÉGIONS DE SOURCE/DRAIN UTILISANT UNE COUCHE DE RÉDUCTION DE RÉSISTANCE DE CONTACT
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for forming tunneling transistors including source and drain (S/D) regions employing a contact resistance reducing layer. The contact resistance reducing layer may be formed between at least one of the S/D regions and its corresponding contact to improve the transistor performance. In addition, in some cases, material bandgap engineering may be used to enhance the ability of tunneling transistor devices, such as tunnel field-effect transistors (TFETs) and Fermi filter FETs (FFFETs), to resist off-state leakage currents from source to drain (through the channel) and from source to ground/substrate. Such material bandgap engineering can incorporate a material-based band offset component by using different material in the S/D regions to control off-state leakage, to expand upon the limited energy band offset achievable using single-composition material configurations. Increasing the band offset can increase the barrier that carriers must overcome to reach the channel region, thereby reducing off-state leakage.
(FR)L'invention concerne des techniques de formation de transistors à effet tunnel comprenant des régions de source et de drain (S/D) utilisant une couche de réduction de résistance de contact. La couche de réduction de résistance de contact peut être formée entre au moins l'une des régions S/D et son contact correspondant pour améliorer les performances du transistor. De plus, dans certains cas, une ingénierie de bande interdite de matériau peut être utilisée pour améliorer la capacité de dispositifs à transistors à effet tunnel, tels que des transistors à effet de champ à effet tunnel (TFET) et des TEC de filtre de Fermi (FFFET), pour résister à des courants de fuite hors-état de la source au drain (à travers le canal) et de la source au sol/substrat. Une telle ingénierie de bande interdite de matériau peut incorporer un composant de décalage de bande à base de matériau en utilisant différents matériaux dans les régions S/D pour commander une fuite hors état, pour s'étendre sur le décalage de bande d'énergie limitée pouvant être obtenu à l'aide de configurations de matériau à composition unique. L'augmentation du décalage de bande peut augmenter la barrière que les porteuses doivent surmonter pour atteindre la région de canal, ce qui permet de réduire les fuites hors-état.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)