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1. (WO2018063314) FABRICATION DE TRANSISTORS À NANOFILS À L'AIDE D'UNE GRAVURE SÉLECTIVE DIRECTIONNELLE
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N° de publication :    WO/2018/063314    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054730
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : MISTKAWI, Nabil G.; (US).
GLASS, Glenn A.; (US)
Mandataire : BRODSKY, Stephen I.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FABRICATING NANOWIRE TRANSISTORS USING DIRECTIONAL SELECTIVE ETCHING
(FR) FABRICATION DE TRANSISTORS À NANOFILS À L'AIDE D'UNE GRAVURE SÉLECTIVE DIRECTIONNELLE
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for fabricating nanowire transistors using directional selective etching. Generally, a selective wet etch employing a given etchant can be used to remove at least one "select material" while not removing other material exposed to the etch (or removing that other material at a relatively slower rate). The techniques described herein expand upon such selective etch processing by including a directional component. A directional selective etch may include a selective etch that only (or primarily) removes the select material in a targeted direction and/or that discriminates against removal of material in a non-targeted direction. For instance, one or more SiGe nanowires can be formed from a stack of alternating sacrificial Si and non-sacrificial SiGe layers, where a directional selective etch removes the sacrificial Si layer(s) in a horizontal direction without adversely affecting exposed sub-channel/sub-fin Si (by using an etchant that discriminates against removing Si in a vertical direction).
(FR)L'invention concerne des techniques de fabrication de transistors à nanofils à l'aide d'une gravure sélective directionnelle. De manière générale, une gravure humide sélective utilisant un agent de gravure donné peut être utilisée pour éliminer au moins un « matériau choisi » tout en n'éliminant aucun autre matériau exposé à la gravure (ou en éliminant cet autre matériau à une vitesse relativement plus lente). Les techniques selon la présente invention s'étendent sur d'un tel traitement de gravure sélective par inclusion d'un composant directionnel. Une gravure sélective directionnelle peut comprendre une gravure sélective qui élimine uniquement (ou principalement) le matériau de sélection dans une direction ciblée et/ou qui différencie l'élimination de matériau dans une direction non ciblée. Par exemple, un ou plusieurs nanofils de SiGe peuvent être formés à partir d'un empilement de couches alternées de SiGe non sacrificielles et de Si sacrificielles, une gravure sélective directionnelle éliminant la ou les couches de Si sacrificielles dans une direction horizontale sans affecter négativement le Si exposé de sous-canal/sous-ailette (au moyen d'un agent de gravure qui différencie l'élimination de Si dans une direction verticale).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)