Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018063314) FABRICATION DE TRANSISTORS À NANOFILS À L'AIDE D'UNE GRAVURE SÉLECTIVE DIRECTIONNELLE

Pub. No.:    WO/2018/063314    International Application No.:    PCT/US2016/054730
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 29/73
H01L 29/66
H01L 21/8238
H01L 29/423
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: MISTKAWI, Nabil G.
GLASS, Glenn A.
Title: FABRICATION DE TRANSISTORS À NANOFILS À L'AIDE D'UNE GRAVURE SÉLECTIVE DIRECTIONNELLE
Abstract:
L'invention concerne des techniques de fabrication de transistors à nanofils à l'aide d'une gravure sélective directionnelle. De manière générale, une gravure humide sélective utilisant un agent de gravure donné peut être utilisée pour éliminer au moins un « matériau choisi » tout en n'éliminant aucun autre matériau exposé à la gravure (ou en éliminant cet autre matériau à une vitesse relativement plus lente). Les techniques selon la présente invention s'étendent sur d'un tel traitement de gravure sélective par inclusion d'un composant directionnel. Une gravure sélective directionnelle peut comprendre une gravure sélective qui élimine uniquement (ou principalement) le matériau de sélection dans une direction ciblée et/ou qui différencie l'élimination de matériau dans une direction non ciblée. Par exemple, un ou plusieurs nanofils de SiGe peuvent être formés à partir d'un empilement de couches alternées de SiGe non sacrificielles et de Si sacrificielles, une gravure sélective directionnelle éliminant la ou les couches de Si sacrificielles dans une direction horizontale sans affecter négativement le Si exposé de sous-canal/sous-ailette (au moyen d'un agent de gravure qui différencie l'élimination de Si dans une direction verticale).